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KM416V1004BJ-5 construit près: |
3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: KM416C1204BJ-L45, KM416C1004BT-6, KM416V1004BJ-L5, KM416V1004BJ-L6, KM416C1204BJ-6, |
Téléchargement KM416V1004BJ-5 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 2071 kb |
KM416V1004AT-L8 | Vue KM416V1004BJ-5 à notre catalogue | KM416V1004BJ-6 |