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M29W102BB50NZ1T construit près: |
1 Mbit (64Kb x16, bloc d'amorçage) basse tension de mémoire flash unique d'approvisionnement, Vcc = 2,7 à 3,6 V, 50ns D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: M29W102BT90NZ6T, M29W102BT50NZ1T, M29W102BT50NZ6T, M29W102BT70NZ1T, M29W102BT70NZ6T, |
Téléchargement M29W102BB50NZ1T datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 158 kb |
M29W102BB50N6T | Vue M29W102BB50NZ1T à notre catalogue | M29W102BB50NZ6T |