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| MTB8N50E-D construit près: | 
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 | FET D2PAK de puissance d'énergie élevée d'E-FET de TMOS pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | Téléchargement MTB8N50E-D datasheet de ON Semiconductor |
PDF 169 kb |
| MTB8N50E | Vue MTB8N50E-D à notre catalogue | MTB9N25E |