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STGW30N120KD construit près: |
30 A, 1 200 V court-circuit IGBT robuste avec diode ultrarapide D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: STGWA30N120KD, |
Téléchargement STGW30N120KD datasheet de ST Microelectronics |
pdf 404 kb |
STGW30H65FB | Vue STGW30N120KD à notre catalogue | STGW30NB60H |