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STGW40N120KD construit près: |
40 A, 1 200 V court-circuit IGBT robuste avec diode ultrarapide D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: STGWA40N120KD, |
Téléchargement STGW40N120KD datasheet de ST Microelectronics |
pdf 742 kb |
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