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| STPSC6H12B-TR1 construit près: | 
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 | Diode Schottky de puissance de carbure de silicium de 1,200 V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: STPSC6H12, |
Téléchargement STPSC6H12B-TR1 datasheet de ST Microelectronics |
pdf 225 kb |
| STPSC6H12 | Vue STPSC6H12B-TR1 à notre catalogue | STPSC6TH13TI |