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| TC55257BSPL-85L construit près: | 
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 | 85 ns; V (dd / po): -0,3 à + 7,0 V; Silicon CMOS gâté: 32,768 mot RAM x 8 bits STAIC D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: TC55257BTRL-85L, TC55257BTRL-10L, TC55257BSPL-10L, TC55257BPL-85L, |
Téléchargement TC55257BSPL-85L datasheet de TOSHIBA |
pdf 429 kb |
| TC55257BSPL-10L | Vue TC55257BSPL-85L à notre catalogue | TC55257BTRL-10L |