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| TPS2012DR construit près: | 
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 | 2.0A, 2,7 à 5.5V choisissent l'cIc de commutateur de transistor MOSFET de Haut-Côté, aucun reportage de défaut, Actif-Bas permettent D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: TPS2012D, TPS2013PWR, TPS2013PWLE, TPS2013D, TPS2012PWR, |
Téléchargement TPS2012DR datasheet de Texas Instruments |
pdf 392 kb |
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