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BC637 Vorbei Hergestellt: |
0.800W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 1.000A Ic, 40-160 hFE Andere mit der gleichen Akte für datasheet: BC640-10, BC640-16, BC636-10, BC636, BC635-16, |
Download BC637 datasheet von Continental Device India Limited |
pdf 54 kb |
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SILIKON-TRANSISTOREN Andere mit der gleichen Akte für datasheet: BC638, BC640, BC635, BC639, |
Download BC637 datasheet von Micro Electronics |
pdf 191 kb |
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Universeller Transistor | Download BC637 datasheet von Korea Electronics (KEC) |
pdf 65 kb |
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Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vcer = 60V, Vces = 60V, Vceo = 60V, Vebo = 5V, Pc = 1W, Ic = 1A. | Download BC637 datasheet von USHA India LTD |
pdf 78 kb |
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Hohe Gegenwärtige Transistoren | Download BC637 datasheet von Motorola |
pdf 123 kb |
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NPN Silikon Af Transistor | Download BC637 datasheet von Infineon |
pdf 133 kb |
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NPN Silikon AF Transistoren (hoher Stromverstärkung hoher Kollektorstrom) | Download BC637 datasheet von Siemens |
pdf 133 kb |
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Hoher Gegenwärtiger Transistor Andere mit der gleichen Akte für datasheet: BC635RL1, BC635ZL1, BC639-16ZL1, BC639RL1, BC639ZL1, |
Download BC637 datasheet von ON Semiconductor |
pdf 67 kb |
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NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Download BC637 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 42 kb |
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NPN mittlere Energie Transistoren Andere mit der gleichen Akte für datasheet: BC639-16, BC637-16, BC639-10, |
Download BC637 datasheet von Philips |
pdf 51 kb |
BC636ZL1 | Ansicht BC637 zu unserem Katalog | BC637-16 |