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IRF120 Vorbei Hergestellt: |
N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom 32A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF122, IRF123, IRF121, |
Download IRF120 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
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8.0A und 9.2A/ 80V und 100V/ Energie MOSFETs 0.27 und 0.36 Ohm-N-Channel/ | Download IRF120 datasheet von Intersil |
pdf 72 kb |
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N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF120 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 218 kb |
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N-Führung Energie MOSFETs/ 11 A 60-100 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF120-123, IRF523, IRF522, IRF521, |
Download IRF120 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 171 kb |
IRF1104STRR | Ansicht IRF120 zu unserem Katalog | IRF120-123 |