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| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF321 Vorbei Hergestellt: | 
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 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF320, IRF322, IRF323, |
Download IRF321 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 218 kb |
 | N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 350-400 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF320-323, IRF721, IRF723, IRF722, |
Download IRF321 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
 | 2.8A und 3.3A/ 350V und 400V/ 1.8 und 2.5 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Download IRF321 datasheet von Intersil |
pdf 72 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 3.0A. | Download IRF321 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
| IRF3205ZSPBF | Ansicht IRF321 zu unserem Katalog | IRF322 |