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| K4E151612D-J Vorbei Hergestellt: | 
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 | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 3,3V, 1K-Aktualisierungszyklus. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: K4E171612D-J, K4E171611D-J, K4E151612D-T, K4E151611D-T, K4E151611D-J, |
Download K4E151612D-J datasheet von Samsung Electronic |
pdf 552 kb |
| K4E151612D | Ansicht K4E151612D-J zu unserem Katalog | K4E151612D-T |