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| K4E160411D-F Vorbei Hergestellt: | 
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 | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: K4E170411D-F, K4E170412D-F, K4E170412D-B, K4E160411D-B, K4E160412D-B, |
Download K4E160411D-F datasheet von Samsung Electronic |
pdf 258 kb |
| K4E160411D-B | Ansicht K4E160411D-F zu unserem Katalog | K4E160412D |