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MTD12N06EZL-D Vorbei Hergestellt: |
TMOS E-FET hohe Energie-Energie FET DPAK für Oberflächeneinfassung oder Einfügung-Einfassung N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | Download MTD12N06EZL-D datasheet von ON Semiconductor |
PDF 281 kb |
MTD12N06EZL | Ansicht MTD12N06EZL-D zu unserem Katalog | MTD1302 |