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MTP2N60E Vorbei Hergestellt: |
N-Kanal Enhancement-Mode-Silizium-Gate | Download MTP2N60E datasheet von ON Semiconductor |
PDF 211 kb |
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TMOS ENERGIE Fet 2.0 AMPERE 600 VOLT RDS(on) = 3.8 OHM Andere mit der gleichen Akte für datasheet: MTP2N60, |
Download MTP2N60E datasheet von Motorola |
pdf 225 kb |
MTP2N60 | Ansicht MTP2N60E zu unserem Katalog | MTP2N60E-D |