1011 | BCX70J | Universelle Transistoren - SOT23; VCEO=45 V | Infineon |
1012 | BCX70K | Universelle Transistoren - SOT23; VCEO=45 V | Infineon |
1013 | BCX71 | PNP Silikon Af Transistor | Infineon |
1014 | BCX71G | Universelle Transistoren - SOT23; VCEO=45V | Infineon |
1015 | BCX71H | Universelle Transistoren - SOT23; VCEO=45V | Infineon |
1016 | BCX71J | Universelle Transistoren - SOT23; VCEO=45V | Infineon |
1017 | BCX71K | Universelle Transistoren - SOT23; VCEO=45V | Infineon |
1018 | BDP 955 E6327 | Einzelne AF Transistoren für universellen Zweck | Infineon |
1019 | BDP947 | Universelle Transistoren - NPN Silikon AF Energie Transistor für AF Treiber- und Ausgangsstadien | Infineon |
1020 | BDP948 | Universelle Transistoren - Paket SOT223 | Infineon |
1021 | BDP949 | Universelle Transistoren - NPN Silikon AF Energie Transistor für AF Treiber- und Ausgangsstadien | Infineon |
1022 | BDP950 | Universelle Transistoren - Paket SOT223 | Infineon |
1023 | BDP951 | Universelle Transistoren - NPN Silikon AF Energie Transistor für AF Treiber- und Ausgangsstadien | Infineon |
1024 | BDP952 | Universelle Transistoren - Paket SOT223 | Infineon |
1025 | BDP953 | Universelle Transistoren - NPN Silikon AF Energie Transistor für AF Treiber- und Ausgangsstadien | Infineon |
1026 | BDP954 | Universelle Transistoren - Paket SOT223 | Infineon |
1027 | BDP955 | Universelle Transistoren - NPN Silikon AF Energie Transistor für AF Treiber- und Ausgangsstadien | Infineon |
1028 | BDP956 | Universelle Transistoren - Paket SOT223 | Infineon |
1029 | BF1005 | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB voll, beeinflussend | Infineon |
1030 | BF1005R | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=24mS, Gps=19dB, F=1.4dB voll, beeinflussend | Infineon |
1031 | BF1005S | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=30mS, Gp=20dB, F=1.4dB voll, beeinflussend | Infineon |
1032 | BF1005SR | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB voll, beeinflussend | Infineon |
1033 | BF1005SW | Silikon N-Führung Mosfet Tetrode | Infineon |
1034 | BF1005W | Silikon N-Führung Mosfet Tetrode | Infineon |
1035 | BF1009 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode für... | Infineon |
1036 | BF1009S | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode für... | Infineon |
1037 | BF1009S | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB voll, beeinflussend; Datasheet Bedarfs- | Infineon |
1038 | BF1009SR | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB voll, beeinflussend; Datasheet Bedarfs- | Infineon |
1039 | BF1012S | Silikon N-Führung Mosfet Tetrode | Infineon |
1040 | BF2030 | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB halb, beeinflussend | Infineon |
1041 | BF2030R | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB halb, beeinflussend | Infineon |
1042 | BF2030W | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB halb, beeinflussend | Infineon |
1043 | BF2040 | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB halb, beeinflussend | Infineon |
1044 | BF2040R | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB halb, beeinflussend | Infineon |
1045 | BF2040W | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB halb, beeinflussend | Infineon |
1046 | BF254 | Rf Transistoren | Infineon |
1047 | BF414 | NPN Silikon Rf Transistor | Infineon |
1048 | BF420 | NPN Silikon-Transistor mit hohem Reve... | Infineon |
1049 | BF421 | PNP Silikon-Transistor mit hohem Reve... | Infineon |
1050 | BF422 | NPN Silikon-Transistor mit hohem Reve... | Infineon |
1051 | BF506 | PNP Silikon Rf Transistor | Infineon |
1052 | BF517 | Rf-Zweipolig - für Verstärker- und Oszillatoranwendungen in den Fernsehapparat-TV-tuners | Infineon |
1053 | BF543 | RF-MOSFET - VDS=15V, gfs=12mS, Gp=22dB, F=1dB | Infineon |
1054 | BF569 | PNP Silikon Rf Transistor | Infineon |
1055 | BF569W | PNP Silikon Rf Transistor | Infineon |
1056 | BF660 | PNP Silikon Rf Transistor | Infineon |
1057 | BF660W | PNP Silikon Rf Transistor | Infineon |
1058 | BF720 | NPN Silikon-Hochspannung-Transistor | Infineon |
1059 | BF721 | PNP Silikon-Hochspannung-Transistor | Infineon |
1060 | BF722 | NPN Silikon-Hochspannung-Transistor | Infineon |
1061 | BF723 | PNP Silikon-Hochspannung-Transistor | Infineon |
1062 | BF770A | Rf-Zweipolig - für WENN Verstärker in Fernsehapparat-gesessenen Tuners und für VCR Modulatoren | Infineon |
1063 | BF771 | Rf-Zweipolig - für Modulatoren und Verstärker Fernsehapparat und VCR in den Tuners | Infineon |
1064 | BF771W | Rf-Zweipolig - für Modulatoren und Verstärker Fernsehapparat und VCR in den Tuners | Infineon |
1065 | BF772 | Rf-Zweipolig - für Anwendung in Fernsehapparat-gesessenen Tuners | Infineon |
1066 | BF775 | Rf-Zweipolig - besonders verwendbar für die Fernsehapparat-Gesessenen und UHF Tuners | Infineon |
1067 | BF775A | NPN Silikon Rf Transistor besonders... | Infineon |
1068 | BF775W | NPN Silikon Rf Transistor besonders... | Infineon |
1069 | BF799 | NPN Silikon Rf Transistor für lineares... | Infineon |
1070 | BF799 | Rf-Zweipolig - für lineare Breitbandverstärkeranwendung bis 500 MHZ und als SÄGE-Filtertreiber in den Fernsehapparat Tuners | Infineon |
1071 | BF799W | Rf-Zweipolig - für lineare Breitbandverstärkeranwendung bis 500 MHZ und als SÄGE-Filtertreiber in den Fernsehapparat Tuners | Infineon |
1072 | BF840 | NPN Silikon Rf Transistor für Common... | Infineon |
1073 | BF841 | NPN Silikon Rf Transistor für Common... | Infineon |
1074 | BF987 | Silikon N-Führung Mosfet Triode | Infineon |
1075 | BF998 | RF-MOSFET - VDS=8V, gfs=24mS, Gps=28dB, F=1dB | Infineon |
1076 | BF998R | RF-MOSFET - VDS=8V, gfs=24mS, Gps=28dB, F=1dB | Infineon |
1077 | BF998W | Silikon N-Führung Mosfet Tetrode | Infineon |
1078 | BF999 | Silikon N-Führung Mosfet Triode | Infineon |
1079 | BF999 | RF-MOSFET - VDS=15V, gfs=16mS, Gp=25dB, F=1dB | Infineon |
1080 | BFG135A | Rf-Zweipolig - für Niedrigverzerrung Breitbandverstärker inszeniert bis zu 2GHz, Endverstärker DECT und PCN in den Systemen | Infineon |
1081 | BFG19 | NPN Silikon Rf Transistor | Infineon |
1082 | BFG193 | NPN Silikon Rf Transistor für niedrigen noi... | Infineon |
1083 | BFG193 | Rf-Zweipolig - für niedrige Geräusche, high-gain Verstärker bis zu 2 Gigahertz und lineare Breitbandverstärker | Infineon |
1084 | BFG194 | PNP Silikon Rf Transistor für niedrige dis... | Infineon |
1085 | BFG196 | Rf-Zweipolig - für niedrige Geräusche, niedrige Verzerrung Breitbandverstärker in den drahtlosen Systemen bis zu 1.5 Gigahertz | Infineon |
1086 | BFG19S | Rf-Zweipolig - für niedrige Geräusche, niedrige Verzerrung Breitbandverstärker in den drahtlosen Systemen bis zu 1.5 Gigahertz | Infineon |
1087 | BFG235 | Rf-Zweipolig - für Niedrigverzerrung Breitbandausgang Verstärkerstadien in den drahtlosen Systemen bis zu 2 Gigahertz | Infineon |
1088 | BFN16 | NPN Silikon-Hochspannungstransistor f... | Infineon |
1089 | BFN16 | Hochspannungstransistoren - SOT89 NPN Hochspannung-Transistor | Infineon |
1090 | BFN17 | PNP Silikon-Hochspannungstransistor f... | Infineon |
1091 | BFN18 | Hochspannungstransistoren - SOT89 NPN Hochspannung-Transistor | Infineon |
1092 | BFN18 | NPN Silikon-Hochspannungstransistor f... | Infineon |
1093 | BFN19 | Hochspannungstransistoren - SOT89 PNP Hochspannung-Transistor | Infineon |
1094 | BFN19 | PNP Silikon-Hochspannungstransistor f... | Infineon |
1095 | BFN24 | NPN Silikon-Hochspannungstransistor f... | Infineon |
1096 | BFN24 | Hochspannungstransistoren - SOT23 NPN Hochspannung-Transistor | Infineon |
1097 | BFN25 | PNP Silikon-Hochspannungstransistor f... | Infineon |
1098 | BFN26 | NPN Silikon-Hochspannungstransistor f... | Infineon |
1099 | BFN26 | Hochspannungstransistoren - SOT23 NPN Hochspannung-Transistor | Infineon |
1100 | BFN27 | PNP Silikon-Hochspannungstransistor f... | Infineon |
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