Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
1029921 | Q62702-F1681 | PNP Silikon Rf Transistor (für Breitbandverstärker bis zu 2GHz am Kollektorstrom bis zu 20mA) | Siemens |
1029922 | Q62702-F1685 | NPN Silikon Rf Transistor (für niedrige Geräusche, high-gain Breitbandverstärker am Kollektorstrom von 0.5mA zu 12mA) | Siemens |
1029923 | Q62702-F1771 | Führung Mosfet Tetrode Des Silikon-N | Siemens |
1029924 | Q62702-F1772 | Führung MOSFET Tetrode des Silikon-N (Kurz-Führung Transistor mit hohem S/C Qualitätsfaktor für lärmarmen, gewinnen-kontrollierten Eingang inszeniert bis 1 Gigahertz) | Siemens |
1029925 | Q62702-F1773 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierender Spannung 5V) | Siemens |
1029926 | Q62702-F1774 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierender Spannung 5V) | Siemens |
1029927 | Q62702-F1775 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierender Spannung 5V) | Siemens |
1029928 | Q62702-F1776 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierender Spannung 5V) | Siemens |
1029929 | Q62702-F1794 | NPN Silikon Rf Transistor (für niedrigen Geräuschverstärker des höchsten Gewinnes bei 1.8 Gigahertz und 2 V) MA/2 | Siemens |
1029930 | Q62702-F182 | N-Führung Verzweigung fangen-effect Transistoren | Siemens |
1029931 | Q62702-F205 | N-Führung Verzweigung fangen-effect Transistoren | Siemens |
1029932 | Q62702-F209 | N-Führung Verzweigung fangen-effect Transistoren | Siemens |
1029933 | Q62702-F219 | N-CHANNEL VERZWEIGUNG fangen-EFFECT TRANSISTOREN | Siemens |
1029934 | Q62702-F236 | N-Führung Verzweigung fangen-effect Transistoren | Siemens |
1029935 | Q62702-F250 | N-CHANNEL VERZWEIGUNG fangen-EFFECT TRANSISTOREN | Siemens |
1029936 | Q62702-F254 | N-CHANNEL VERZWEIGUNG fangen-EFFECT TRANSISTOREN | Siemens |
1029937 | Q62702-F296 | NPN SILIKON-TRANSISTOR FÜR RF BREITBANDVERSTÄRKER | Siemens |
1029938 | Q62702-F311 | PNP SILIKON-RF TRANSISTOR | Siemens |
1029939 | Q62702-F315 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOREN | Siemens |
1029940 | Q62702-F316 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOREN | Siemens |
1029941 | Q62702-F317 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOREN | Siemens |
1029942 | Q62702-F319 | NPN SILIKON-RF BREITBANDTRANSISTOR | Siemens |
1029943 | Q62702-F320 | NPN SILIKON-RF BREITBANDTRANSISTOR | Siemens |
1029944 | Q62702-F321 | NPN SILIKON-RF BREITBANDTRANSISTOREN | Siemens |
1029945 | Q62702-F346-S1 | NPN SILIKON-TRANSISTOR FÜR LOW-NOISE RF BREITBANDVERSTÄRKER | Siemens |
1029946 | Q62702-F347-S1 | NPN SILIKON-TRANSISTOR FÜR LOW-NOISE RF BREITBANDVERSTÄRKER UND HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTUNG ANWENDUNGEN | Siemens |
1029947 | Q62702-F348 | npn Silikon-Rf Transistor | Siemens |
1029948 | Q62702-F349 | npn Silikon-Rf Transistor | Siemens |
1029949 | Q62702-F35 | FÜHRUNG MOSFET TRIODE DES SILIKON-N (für Hochfrequenzstadien bis 300 MHZ, vorzugsweise FM Anwendungen in der hohen Überlastung Fähigkeit) | Siemens |
1029950 | Q62702-F350 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOR | Siemens |
1029951 | Q62702-F354 | NPN Silikon Rf Transistor | Siemens |
1029952 | Q62702-F365 | NPN SILIKON-RF BREITBANDTRANSISTOR | Siemens |
1029953 | Q62702-F390 | NPN SILIKON-RF BREITBANDTRANSISTOR | Siemens |
1029954 | Q62702-F393 | N-CHANNEL VERZWEIGUNG fangen-EFFECT TRANSISTOREN | Siemens |
1029955 | Q62702-F395 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOREN | Siemens |
1029956 | Q62702-F396 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOREN | Siemens |
1029957 | Q62702-F408 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
1029958 | Q62702-F414 | NPN SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
1029959 | Q62702-F42 | NPN Silikon Rf Transistor (für Verstärker- und Oszillatoranwendungen in den Fernsehapparat-TV-tuners) | Siemens |
1029960 | Q62702-F456 | EXTREM NIEDRIGES SILIKON-BREITBANDTRANSISTOREN DER GERÄUSCH-NPN | Siemens |
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