| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1137121 | SPB10090 | Schottky Gleichrichter | Microsemi |
| 1137122 | SPB100N03S2-03 | Niederspannung MOSFETs - OptiMOS Energie Mosfet, 30V, D2PAK, RDSon = 3.0mOhm, 100A, NL | Infineon |
| 1137123 | SPB100N03S2L-03 | Niederspannung MOSFETs - OptiMOS Energie Mosfet, 30V, D2PAK, RDSon = 2.7mOhm, 100 A, LL | Infineon |
| 1137124 | SPB100N04S2-04 | OptiMOS Energie-Transistor | Infineon |
| 1137125 | SPB100N04S2L-03 | OptiMOS Energie-Transistor | Infineon |
| 1137126 | SPB100N06S2-05 | OptiMOS Energie-Transistor | Infineon |
| 1137127 | SPB100N06S2L-05 | OptiMOS Energie-Transistor | Infineon |
| 1137128 | SPB100N08S2-07 | OptiMOS Energie-Transistor | Infineon |
| 1137129 | SPB100N08S2L-07 | OptiMOS Energie-Transistor | Infineon |
| 1137130 | SPB10N10 | Niederspannung MOSFETs - Energie Mosfet, 100V, D.PAK, RDSon=180mOhm, 10A, NL | Infineon |
| 1137131 | SPB10N10 | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
| 1137132 | SPB10N10L | Energie Mosfet, 100V, D²PAK, RDSon=154mOhm, 10A, LL | Infineon |
| 1137133 | SPB11N60C2 | für niedrigste Übertragung Verluste u. schnellste Schaltung | Infineon |
| 1137134 | SPB11N60C3 | für niedrigste Übertragung Verluste u. schnellste Schaltung | Infineon |
| 1137135 | SPB11N60S5 | für niedrigste Übertragung Verluste | Infineon |
| 1137136 | SPB12N50C3 | für niedrigste Übertragung Verluste u. schnellste Schaltung | Infineon |
| 1137137 | SPB160100 | Schottky Gleichrichter | Microsemi |
| 1137138 | SPB16015 | Schottky Gleichrichter | Microsemi |
| 1137139 | SPB16035 | Schottky Gleichrichter | Microsemi |
| 1137140 | SPB16040 | Schottky Gleichrichter | Microsemi |
| 1137141 | SPB16045 | Schottky Gleichrichter | Microsemi |
| 1137142 | SPB16060 | Schottky Gleichrichter | Microsemi |
| 1137143 | SPB16080 | Schottky Gleichrichter | Microsemi |
| 1137144 | SPB16090 | Schottky Gleichrichter | Microsemi |
| 1137145 | SPB160N04S2-03 | Niederspannung MOSFETs - TO263; 160A; 40V; NL;2.9mohm | Infineon |
| 1137146 | SPB160N04S2L-03 | Niederspannung MOSFETs - TO263;160A;LL | Infineon |
| 1137147 | SPB16N50C3 | für niedrigste Übertragung Verluste u. schnellste Schaltung | Infineon |
| 1137148 | SPB17N80C3 | für niedrigste Übertragung Verluste u. schnellste SwitchingPlease Anmerkung: Infineon hat das CoolMOS 800V C2 kennzeichnend zu C3 geändert. 800V C2... | Infineon |
| 1137149 | SPB18P06P | SIPMOS® Parametrische Suche | Infineon |
| 1137150 | SPB18P06PSMD | Niederspannung MOSFETs - Energie Mosfet, -60V, D2PAK, RDSon = 0.13 | Infineon |
| 1137151 | SPB20N60C2 | für niedrigste Übertragung Verluste u. schnellste Schaltung | Infineon |
| 1137152 | SPB20N60C3 | für niedrigste Übertragung Verluste u. schnellste Schaltung | Infineon |
| 1137153 | SPB20N60S5 | für niedrigste Übertragung Verluste | Infineon |
| 1137154 | SPB21N10 | Niederspannung MOSFETs - Energie Mosfet, 100V, D.PAK, RDSon=85mOhm, 21A, NL | Infineon |
| 1137155 | SPB21N10 | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
| 1137156 | SPB21N50C3 | für niedrigste Übertragung Verluste u. schnellste Schaltung | Infineon |
| 1137157 | SPB25 | Einphasig-Brücke | Microsemi |
| 1137158 | SPB25JAN | Einphasig-Brücke | Microsemi |
| 1137159 | SPB30N03 | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
| 1137160 | SPB30N03L | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
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