| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1143801 | SSM5G01TU | Führung MOS Art des Silikon-P (U-MOSII)/Silicon Epitaxial- Schottky planarer Diode DC-DC Konverter für DSCs und Kamerarecorder | TOSHIBA |
| 1143802 | SSM5G02TU | Multi-Chip-diskreten Bauelementen (P-ch + SBD) | TOSHIBA |
| 1143803 | SSM5G04TU | Multi-Chip-diskreten Bauelementen (P-ch + SBD) | TOSHIBA |
| 1143804 | SSM5G06FE | Multi-Chip-diskreten Bauelementen (P-ch + SBD) | TOSHIBA |
| 1143805 | SSM5G09TU | Multi-Chip-diskreten Bauelementen (P-ch + SBD) | TOSHIBA |
| 1143806 | SSM5G10TU | Multi-Chip-diskreten Bauelementen (P-ch + SBD) | TOSHIBA |
| 1143807 | SSM5G11TU | Multi-Chip-diskreten Bauelementen (P-ch + SBD) | TOSHIBA |
| 1143808 | SSM5H01TU | Multi-Chip-diskreten Bauelementen (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
| 1143809 | SSM5H05TU | Multi-Chip-diskreten Bauelementen (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
| 1143810 | SSM5H06FE | Multi-Chip-diskreten Bauelementen (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
| 1143811 | SSM5H07TU | Multi-Chip-diskreten Bauelementen (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
| 1143812 | SSM5H08TU | Multi-Chip-diskreten Bauelementen (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
| 1143813 | SSM5H10TU | Multi-Chip-diskreten Bauelementen (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
| 1143814 | SSM5H11TU | Multi-Chip-diskreten Bauelementen (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
| 1143815 | SSM5H12TU | Multi-Chip-diskreten Bauelementen (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
| 1143816 | SSM5H14F | Multi-Chip-diskreten Bauelementen (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
| 1143817 | SSM5H16TU | Multi-Chip-diskreten Bauelementen (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
| 1143818 | SSM5H90ATU | Multi-Chip-diskretes Gerät (N-ch + Schaltdiode) | TOSHIBA |
| 1143819 | SSM5H90TU | Multi-Chip-diskretes Gerät (N-ch + Schaltdiode) | TOSHIBA |
| 1143820 | SSM5N05FU | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-N auf | TOSHIBA |
| 1143821 | SSM5N15FE | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Analoge Schalter-Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-N auf | TOSHIBA |
| 1143822 | SSM5N15FU | Kleinsignal-MOSFET 2 in 1 | TOSHIBA |
| 1143823 | SSM5N16FE | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Analoge Schaltung Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-N auf | TOSHIBA |
| 1143824 | SSM5N16FU | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Analoge Schaltung Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-N auf | TOSHIBA |
| 1143825 | SSM5P05FU | Fangen Sie Führung MOS Art Energie Management-Schalter-Schnellschaltung Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-P auf | TOSHIBA |
| 1143826 | SSM5P15FE | Kleinsignal-MOSFET 2 in 1 | TOSHIBA |
| 1143827 | SSM5P15FU | Kleinsignal-MOSFET 2 in 1 | TOSHIBA |
| 1143828 | SSM5P16FE | Kleinsignal-MOSFET 2 in 1 | TOSHIBA |
| 1143829 | SSM6E01TU | Multi-Span Vorrichtung Silikon P-Führung MOS Art (U-MOS II) + N-Führung MOS Art (Planer) Last Schalter-Anwendungen | TOSHIBA |
| 1143830 | SSM6E03TU | Multi-Chip-diskretes Gerät (P-ch + N-ch) | TOSHIBA |
| 1143831 | SSM6G18NU | Multi-Chip-diskreten Bauelementen (P-ch + SBD) | TOSHIBA |
| 1143832 | SSM6H19NU | Multi-Chip-diskreten Bauelementen (N-ch + SBD) | TOSHIBA |
| 1143833 | SSM6J06FU | Fangen Sie Führung MOS Art Energie Management-Schalter-Schnellschaltung Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-P auf | TOSHIBA |
| 1143834 | SSM6J07FU | Führung MOS Art Energie Management-Schalter-Schnellschaltung Anwendungen Des Transistor-Silikon-P | TOSHIBA |
| 1143835 | SSM6J08FU | Fangen Sie Effekt-Transistor auf | TOSHIBA |
| 1143836 | SSM6J205FE | Kleinsignal-MOSFET | TOSHIBA |
| 1143837 | SSM6J206FE | Kleinsignal-MOSFET | TOSHIBA |
| 1143838 | SSM6J207FE | Kleinsignal-MOSFET | TOSHIBA |
| 1143839 | SSM6J212FE | Kleinsignal-MOSFET | TOSHIBA |
| 1143840 | SSM6J213FE | Kleinsignal-MOSFET | TOSHIBA |
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