| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1165961 | STGWT80V60DF | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 80 A mit sehr hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
| 1165962 | STGWT80V60F | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 80 A mit sehr hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
| 1165963 | STGY40NC60V | N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Sehr Schnelles PowerMESH?? IGBT | ST Microelectronics |
| 1165964 | STGY40NC60V | N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Sehr Schnelles PowerMESH?? IGBT | ST Microelectronics |
| 1165965 | STGY40NC60VD | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 SEHR SCHNELLES POWERMESH "IGBT | ST Microelectronics |
| 1165966 | STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 1165967 | STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 1165968 | STGY50NB60HD | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 1165969 | STGY50NB60HD | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165970 | STGY50NC60WD | Ultraschnelle "W" -Serie | ST Microelectronics |
| 1165971 | STGY80H65DFB | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 80 A mit hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
| 1165972 | STH10NA50 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165973 | STH10NA50FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1165974 | STH10NA50FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165975 | STH10NA50FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165976 | STH10NC60FI | N-CHANNEL 600V - 0.6 OHM - 10A - TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
| 1165977 | STH10NC60FI | N - FÜHRUNG 600V - 0.65Ohms - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESH II Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165978 | STH10NC60FI | N-CHANNEL 600V - 0.6 OHM - 10A - TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165979 | STH10NK60ZFI | N-CHANNEL 600V 0.65 ENERGIE MOSFET DES OHM-10A ZENER-PROTECTED SUPERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165980 | STH110N10F7-2 | N-Kanal 100 V, 4,9 mOhm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE Power MOSFET in H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
| 1165981 | STH110N10F7-6 | N-Kanal 100 V, 4,9 mOhm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE Power MOSFET in H2PAK-6-Paket | ST Microelectronics |
| 1165982 | STH12N120K5-2 | N-Kanal 1200 V, 0,58 Ohm typ. 12 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
| 1165983 | STH12NA60 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165984 | STH12NA60FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1165985 | STH12NA60FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165986 | STH12NA60FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165987 | STH130N10F3-2 | N-Kanal 100 V, 7,8 mOhm typ., 120 A STripFET (TM) Power MOSFET in H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
| 1165988 | STH13NB60 | N - FÜHRUNG 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESHMosfet | ST Microelectronics |
| 1165989 | STH13NB60 | N - FÜHRUNG 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESHMosfet | ST Microelectronics |
| 1165990 | STH13NB60FI | N - FÜHRUNG 600V - 0.48W - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165991 | STH13NB60FI | N-CHANNEL 600V - 0.48 OHM - 13A - TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
| 1165992 | STH140N8F7-2 | N-Kanal-80 V, 3,3 mOhm typ. 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
| 1165993 | STH150N10F7-2 | N-Kanal 100 V, 0,0038 Ohm typ. 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
| 1165994 | STH15NA50 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165995 | STH15NA50FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1165996 | STH15NA50FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165997 | STH15NA50FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165998 | STH15NB50FI | N-CHANNLE VERBESSERUNG MODUS-SEHR NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG ENERGIE MOS TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 1165999 | STH15NB50FI | N-CHANNEL 500V - 0.33W - 14.6A - T0- 247/ISOWATT218 PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166000 | STH15NB50FI | N-CHANNLE VERBESSERUNG MODUS-SEHR NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |
