| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1176041 | STP30NM30N | N-Kanal 300V - 0.078Ohm - 30A - TO-220 | ST Microelectronics |
| 1176042 | STP30NS15L | N-CHANNEL 150V - 0.085 OHM - 10A TO-220FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATT-ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1176043 | STP30NS15LFP | N-CHANNEL 150V - 0.085 OHM - 10A TO-220FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATT-ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1176044 | STP310N10F7 | N-Kanal 100 V, 2,3 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in einem TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1176045 | STP315N10F7 | Automotive-N-Kanal 100 V, 2,3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in einem TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1176046 | STP31N65M5 | N-Kanal 650 V, 0.124 Ohm, 22 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1176047 | STP32N05L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176048 | STP32N05L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176049 | STP32N05L | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176050 | STP32N05LFI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176051 | STP32N06 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 1176052 | STP32N06 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 1176053 | STP32N06L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176054 | STP32N06L | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176055 | STP32N06L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176056 | STP32N06LFI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176057 | STP32N06LFI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176058 | STP32N06LFI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176059 | STP32N65M5 | N-Kanal 650 V, 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220 | ST Microelectronics |
| 1176060 | STP32NM50N | N-Kanal 500 V, 0,1 Ohm typ. 22 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1176061 | STP33N10 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176062 | STP33N10 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176063 | STP33N10 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176064 | STP33N10FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176065 | STP33N10FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176066 | STP33N10FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176067 | STP33N60M2 | N-Kanal 600 V, 0.108 Ohm typ. 26 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Leistungs-MOSFETs in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1176068 | STP34N65M5 | N-Kanal 650 V, 0,09 Ohm, 28 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1176069 | STP34NM60N | N-Kanal 600 V, 0.092 Ohm, 29 A, MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-220 | ST Microelectronics |
| 1176070 | STP34NM60ND | N-Kanal 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) TO-220 | ST Microelectronics |
| 1176071 | STP35N65M5 | N-Kanal 650 V, 0.085 Ohm, 27 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220 | ST Microelectronics |
| 1176072 | STP35NF10 | N-CHANNEL 100V 0.030 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-40A TO-220/D2PAK NIEDRIGER | ST Microelectronics |
| 1176073 | STP35NF10 | N-CHANNEL 100V 0.030 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-40A TO-220/D2PAK NIEDRIGER | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176074 | STP360N4F6 | N-Kanal-40 V, 120 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1176075 | STP36N05L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176076 | STP36N05L | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176077 | STP36N05L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176078 | STP36N05LFI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176079 | STP36N05LFI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176080 | STP36N06 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
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