| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1198161 | TC58V64BFT | 64-MBIT (8M x 8 BITS) CMOS NAND E2PROM | TOSHIBA |
| 1198162 | TC59 | Das TC59 ist ein niedriger Austritt, der negative Ausgang Spannung Regler, der spezifisch für batteriebetriebene Systeme bestimmt ist. Sein voller CMOS Aufbau beseitigt den vergeudeten Grundstrom, der von zweipoligem LDOs typisch ist. | Microchip |
| 1198163 | TC593002ECB | Niedriger Austritt, Negativer Ausgang Spannung Regler | Microchip |
| 1198164 | TC593002ECB | Niedriger Austritt, Negativer Ausgang Spannung Regler | Microchip |
| 1198165 | TC593002ECBTR | Low-Dropout, negative Ausgangsspannungsregler, Ausgangsspannung 3,0 V | Microchip |
| 1198166 | TC595002ECB | Niedriger Austritt, Negativer Ausgang Spannung Regler | Microchip |
| 1198167 | TC595002ECB | Niedriger Austritt, Negativer Ausgang Spannung Regler | Microchip |
| 1198168 | TC595002ECBTR | Low-Dropout, negative Ausgangsspannungsregler, Ausgangsspannung 5,0 V | Microchip |
| 1198169 | TC59LM806CFT | Netz FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198170 | TC59LM806CFT-50 | 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITS Netz-FCRAM oder 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS Netz FCRAM | TOSHIBA |
| 1198171 | TC59LM806CFT-55 | 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITS Netz-FCRAM oder 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS Netz FCRAM | TOSHIBA |
| 1198172 | TC59LM806CFT-60 | 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITS Netz-FCRAM oder 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS Netz FCRAM | TOSHIBA |
| 1198173 | TC59LM806CFTI | Netz FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198174 | TC59LM814CFT | Netz FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198175 | TC59LM814CFT-50 | 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITS Netz-FCRAM oder 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS Netz FCRAM | TOSHIBA |
| 1198176 | TC59LM814CFT-55 | 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITS Netz-FCRAM oder 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS Netz FCRAM | TOSHIBA |
| 1198177 | TC59LM814CFT-60 | 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITS Netz-FCRAM oder 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS Netz FCRAM | TOSHIBA |
| 1198178 | TC59LM814CFTI | Netz FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198179 | TC59LM818DMB | Netz FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198180 | TC59LM818DMBI | Netz FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198181 | TC59LM836DKB | Netz FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198182 | TC59LM905AMB | Netz FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198183 | TC59LM906AMG | Netz FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198184 | TC59LM913AMB | Netz FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198185 | TC59LM914AMG | Netz FCRAMTM | TOSHIBA |
| 1198186 | TC59S6404 | MOS DIGITAL SCHALTUNG-SILIKON MONOLITHISCH | TOSHIBA |
| 1198187 | TC59S6404 | MOS DIGITAL SCHALTUNG-SILIKON MONOLITHISCH | TOSHIBA |
| 1198188 | TC59S6404BFT | MOS DIGITAL SCHALTUNG-SILIKON MONOLITHISCH | TOSHIBA |
| 1198189 | TC59S6404BFT | MOS DIGITAL SCHALTUNG-SILIKON MONOLITHISCH | TOSHIBA |
| 1198190 | TC59S6404BFT-10 | MOS DIGITAL SCHALTUNG-SILIKON MONOLITHISCH | TOSHIBA |
| 1198191 | TC59S6404BFT-10 | MOS DIGITAL SCHALTUNG-SILIKON MONOLITHISCH | TOSHIBA |
| 1198192 | TC59S6404BFT-80 | MOS DIGITAL SCHALTUNG-SILIKON MONOLITHISCH | TOSHIBA |
| 1198193 | TC59S6404BFT-80 | MOS DIGITAL SCHALTUNG-SILIKON MONOLITHISCH | TOSHIBA |
| 1198194 | TC59S6404BFT/BFTL-80 | 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT SSYNCHRONES DYNAMISCHES RAM | TOSHIBA |
| 1198195 | TC59S6404BFT/BFTL-80 | 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT SSYNCHRONES DYNAMISCHES RAM | TOSHIBA |
| 1198196 | TC59S6404BFT/BFTL10 | 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT SSYNCHRONES DYNAMISCHES RAM | TOSHIBA |
| 1198197 | TC59S6404BFT/BFTL10 | 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT SSYNCHRONES DYNAMISCHES RAM | TOSHIBA |
| 1198198 | TC59S6404BFTL | MOS DIGITAL SCHALTUNG-SILIKON MONOLITHISCH | TOSHIBA |
| 1198199 | TC59S6404BFTL | MOS DIGITAL SCHALTUNG-SILIKON MONOLITHISCH | TOSHIBA |
| 1198200 | TC59S6404BFTL-10 | 4.194.304-Wörter x 4BANKS x 4-BITS synchroner dynamischer RAM | TOSHIBA |
| | | |
