| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 246441 | BARRIER E | Schützende Schicht | Vishay |
| 246442 | BAS 70-02L | Leadless Span-sortiertes Paket für discretes | Infineon |
| 246443 | BAS101 | Hochspannungsschaltdioden | NXP Semiconductors |
| 246444 | BAS101S | Hochspannungsschaltdioden | NXP Semiconductors |
| 246445 | BAS11 | Kontrollierte Lawine Gleichrichter | Philips |
| 246446 | BAS116 | Niedrig-Durchsickern Diode | Philips |
| 246447 | BAS116 | Schaltung Dioden | Diodes |
| 246448 | BAS116 | Universelle Dioden - Silikon-Niedrige Durchsickern-Diode | Infineon |
| 246449 | BAS116 | Silikon-niedrige Durchsickern-Diode (Niedrig-Durchsickern Anwendungen setzt mittlere Geschwindigkeit Schaltung Zeit einzelnen Diode fest) | Siemens |
| 246450 | BAS116 | Low-Leakage-Diode | NXP Semiconductors |
| 246451 | BAS116-7-F | Schaltdioden | Diodes |
| 246452 | BAS116H | 75 V niedrige Durchsickerndiode im kleinen SOD123F Paket | Philips |
| 246453 | BAS116H | Niedriger Leckschaltdiode | NXP Semiconductors |
| 246454 | BAS116L | Schaltung Diode | ON Semiconductor |
| 246455 | BAS116LP3 | Discrete - Dioden (Weniger als 0,5 A) - Schaltdioden | Diodes |
| 246456 | BAS116LP3-7 | Discrete - Dioden (Weniger als 0,5 A) - Schaltdioden | Diodes |
| 246457 | BAS116LPH4 | Discrete - Dioden (Weniger als 0,5 A) - Schaltdioden | Diodes |
| 246458 | BAS116LPH4-7B | Discrete - Dioden (Weniger als 0,5 A) - Schaltdioden | Diodes |
| 246459 | BAS116LT1 | Schaltung Diode | Leshan Radio Company |
| 246460 | BAS116LT1 | Schaltung Diode | ON Semiconductor |
| 246461 | BAS116LT1-D | Schaltung Diode | ON Semiconductor |
| 246462 | BAS116T | Schaltung Dioden | Diodes |
| 246463 | BAS116T | Einzel geringen Leckstrom Schaltdiode | NXP Semiconductors |
| 246464 | BAS116T-7-F | Schaltdioden | Diodes |
| 246465 | BAS116TT1 | BAS116T Schaltung Diode | ON Semiconductor |
| 246466 | BAS116UDJ | Discrete - Dioden (Weniger als 0,5 A) - Schaltdioden | Diodes |
| 246467 | BAS116UDJ-7 | Discrete - Dioden (Weniger als 0,5 A) - Schaltdioden | Diodes |
| 246468 | BAS116V | Discrete - Dioden (Weniger als 0,5 A) - Schaltdioden | Diodes |
| 246469 | BAS116V-7 | Discrete - Dioden (Weniger als 0,5 A) - Schaltdioden | Diodes |
| 246470 | BAS12 | Kontrollierte Lawine Gleichrichter | Philips |
| 246471 | BAS125 | Rf Schottky Diode | Infineon |
| 246472 | BAS125 | Silikonschottky Dioden (für dämpfungsärmes, Schnellwiederaufnahme, Meßinstrumentschutz, schräge Lokalisierung und festklemmen Anwendungen) | Siemens |
| 246473 | BAS125-04 | Rf Schottky Diode | Infineon |
| 246474 | BAS125-04 | Silikonschottky Dioden (für dämpfungsärmes, Schnellwiederaufnahme, Meßinstrumentschutz, schräge Lokalisierung und festklemmen Anwendungen) | Siemens |
| 246475 | BAS125-04W | Schottky Dioden - Rf Schottky Diode für dämpfungsärmes, Schnellwiederaufnahme, Meßinstrumentschutz... | Infineon |
| 246476 | BAS125-04W | Rf Schottky Diode | Infineon |
| 246477 | BAS125-04W | Einleitende Daten Silikonschottky Dioden (für dämpfungsärmes, Schnellwiederaufnahme, Meßinstrumentschutz, schräge Lokalisierung und festklemmen Anwendung) | Siemens |
| 246478 | BAS125-05 | Rf Schottky Diode | Infineon |
| 246479 | BAS125-05 | Silikonschottky Dioden (für dämpfungsärmes, Schnellwiederaufnahme, Meßinstrumentschutz, schräge Lokalisierung und festklemmen Anwendungen) | Siemens |
| 246480 | BAS125-05W | Schottky Dioden - Rf Schottky Diode für dämpfungsärmes, Schnellwiederaufnahme, Meßinstrumentschutz... | Infineon |
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