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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
250161BC369PNP Zweck-VerstärkerFairchild Semiconductor
250162BC369PNP SILIKON-PLANARER MITTLERER ENERGIE TRANSISTORZetex Semiconductors
250163BC369PNP Silikon Af TransistorInfineon
250164BC369SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOREN FÜR AUDIOANWENDUNGMicro Electronics
250165BC369PNP Silikon AF Transistor (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter des Stromverstärkung hohe Kollektorstroms)Siemens
250166BC369Verstärker-TransistorenMotorola
250167BC369Kleiner Signal-PlastiktransistorON Semiconductor
250168BC3690.800W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 20V Vceo, 1.000A Ic, 50 - hFEContinental Device India Limited
250169BC369-100.800W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 20V Vceo, 1.000A Ic, 63-160 hFEContinental Device India Limited
250170BC369-16PNP mittlerer Energie TransistorPhilips
250171BC369-160.800W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 20V Vceo, 1.000A Ic, 100-250 hFEContinental Device India Limited
250172BC369-25PNP mittlerer Energie TransistorPhilips
250173BC369-250.800W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 20V Vceo, 1.000A Ic, 160-400 hFEContinental Device India Limited
250174BC369GPNP mittlere LeistungstransistorPhilips
250175BC369ZL1Kleiner Signal-PlastiktransistorON Semiconductor
250176BC369_D27ZPNP Zweck-VerstärkerFairchild Semiconductor
250177BC369_D74ZPNP Zweck-VerstärkerFairchild Semiconductor
250178BC372NPN SILIKON-PLANARER MITTLERER ENERGIE DARLINGTON TRANSISTORZetex Semiconductors
250179BC372Hochspannungsdarlington TransistorenMotorola



250180BC372Transistor-Silikon-Plastik NPNON Semiconductor
250181BC372-DHochspannungsSilikon Der Darlington Transistor-NPNON Semiconductor
250182BC372PNPN SILIKON-PLANARER MITTLERER ENERGIE DARLINGTON TRANSISTORZetex Semiconductors
250183BC373Hochspannungsdarlington TransistorenMotorola
250184BC373Transistor-Silikon-Plastik NPNON Semiconductor
250185BC373RL1Transistor-Silikon-Plastik NPNON Semiconductor
250186BC373ZL1Transistor-Silikon-Plastik NPNON Semiconductor
250187BC378Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto18SemeLAB
250188BC393Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci ma.ej mocyUltra CEMI
250189BC393HOCHSPANNUNGSVERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
250190BC393Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
250191BC393HOCHSPANNUNGSVERSTÄRKERST Microelectronics
250192BC3930.400W General Purpose PNP Metall kann der Transistor. 180V Vceo, 0,500A Ic, 50 hFE.Continental Device India Limited
250193BC394EPITAXIAL- PLANARES NPNST Microelectronics
250194BC394HOCHSPANNUNGSVERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
250195BC394Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
250196BC413Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci ma.ej mocyUltra CEMI
250197BC413SILIKONAF NIEDRIGE GERÄUSCH-KLEINE SIGNAL-TRANSISTORENMicro Electronics
250198BC4130.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 30V Vceo, 0.100A Ic, 180-800 hFEContinental Device India Limited
250199BC413B0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 30V Vceo, 0.010A Ic, 180-460 hFEContinental Device India Limited
250200BC413C0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 30V Vceo, 0.100A Ic, 100 - hFEContinental Device India Limited
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