Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
253321 | BCM95695R24X2S | StrataXGS II GE 24-PORT Bezugsdesign | Broadcom |
253322 | BCM97110 | Single-Chip DOCSIS 1.1/PVR Einstellen-Oberseite Kasten-Entwicklung Plattform | Broadcom |
253323 | BCM97315 | DBS Einstellen-Oberseite Kasten-Bezugsdesign | Broadcom |
253324 | BCM97318 | IP Einstellen-Oberseite Kasten-Bezugsdesign | Broadcom |
253325 | BCM97395 | Bezugsplattform Des Doppelkanal-AVC HD | Broadcom |
253326 | BCP | 22 x 22 Ta2 N Zurück-Treten auf Silikon mit Teil-Markierung in Verbindung | Vishay |
253327 | BCP28 | Darlington Transistoren - PNP Silikon Darlington Transistor für allgemeine AF Anwendungen | Infineon |
253328 | BCP28 | PNP Silikon Darlington Transistor | Infineon |
253329 | BCP28 | PNP Silikon Darlington Transistoren (für hohe Stromverstärkung allgemeine des AF Anwendungen hohe Kollektorstroms) | Siemens |
253330 | BCP28E6327 | PNP Silikon Darlington Transistor | Infineon |
253331 | BCP29 | NPN Silikon Darlington Transistor für... | Infineon |
253332 | BCP29 | NPN Silikon Darlington Transistoren (für hohe Stromverstärkung allgemeine des AF Anwendungen hohe Kollektorstroms) | Siemens |
253333 | BCP48 | Darlington Transistoren - PNP Silikon Darlington Transistor für allgemeine AF Anwendungen | Infineon |
253334 | BCP48 | PNP Silikon Darlington Transistoren (für hohe Stromverstärkung allgemeine des AF Anwendungen hohe Kollektorstroms) | Siemens |
253335 | BCP49 | Darlington Transistoren - NPN Silikon Darlington Transistor für allgemeine AF Anwendungen | Infineon |
253336 | BCP49 | NPN Silikon Darlington Transistor für... | Infineon |
253337 | BCP49 | NPN Silikon Darlington Transistoren (für hohe Stromverstärkung allgemeine des AF Anwendungen hohe Kollektorstroms) | Siemens |
253338 | BCP51 | PNP mittlere Energie Transistoren | Philips |
253339 | BCP51 | SOT223 PNP SILIKON-PLANARER MITTLERER ENERGIE TRANSISTOR | Zetex Semiconductors |
253340 | BCP51 | Universelle Transistoren - SOT223; VCEO=45V; hFE=40..250 | Infineon |
253341 | BCP51 | PNP Silikon AF Transistor für AF driv... | Infineon |
253342 | BCP51 | PNP Silikon AF Transistoren (für hohen Kollektorstrom des AF Treibers und Ausgang Stadien) | Siemens |
253343 | BCP51 | PNP Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
253344 | BCP51 | Oberflächeneinfassung Silikon-Epitaxial- PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
253345 | BCP51 | 45 V, 1 A PNP-Transistor mittlerer Leistung | NXP Semiconductors |
253346 | BCP51 | PNP MEDIUM Leistungstransistoren SOT223 | Diodes |
253347 | BCP51-10 | SOT223 PNP SILIKON-PLANARER MITTLERER ENERGIE TRANSISTOR | Zetex Semiconductors |
253348 | BCP51-10 | Universelle Transistoren - SOT223; VCEO=45V; hFE=63..160 | Infineon |
253349 | BCP51-10 | PNP Silikon AF Transistoren (für hohen Kollektorstrom des AF Treibers und Ausgang Stadien) | Siemens |
253350 | BCP51-10 | 45 V, 1 A PNP-Transistor mittlerer Leistung | NXP Semiconductors |
253351 | BCP51-16 | PNP mittlere Energie Transistoren | Philips |
253352 | BCP51-16 | SOT223 PNP SILIKON-PLANARER MITTLERER ENERGIE TRANSISTOR | Zetex Semiconductors |
253353 | BCP51-16 | Universelle Transistoren - SOT223; VCEO=45V; hFE=100..250 | Infineon |
253354 | BCP51-16 | PNP Silikon AF Transistoren (für hohen Kollektorstrom des AF Treibers und Ausgang Stadien) | Siemens |
253355 | BCP51-16 | 45 V, 1 A PNP-Transistor mittlerer Leistung | NXP Semiconductors |
253356 | BCP51-BCP53 | PNP Silikon AF Transistoren (für hohen Kollektorstrom des AF Treibers und Ausgang Stadien) | Siemens |
253357 | BCP5110 | Überholt | Zetex Semiconductors |
253358 | BCP5110 | PNP MEDIUM Leistungstransistoren SOT223 | Diodes |
253359 | BCP5110TA | PNP MEDIUM Leistungstransistoren SOT223 | Diodes |
253360 | BCP5116 | Überholt | Zetex Semiconductors |
| | | |