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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
253601BCP72MPNP Silikon Af Energie TransistorInfineon
253602BCP72MPNP Silikon AF Energie Transistor (Abflußschalter für Rf Endverstärkerstadien für hohen Kollektorstrom des AF Treibers und Ausgang Stadien)Siemens
253603BCP75W5V und 3.3V, "Hälfte-Ziegelstein" 75 Watt, DC/DC KonverterDatel
253604BCP75W5V und 3.3V, "Hälfte-Ziegelstein" 75 Watt, DC/DC KonverterDatel
253605BCP75W5V und 3.3V, "Hälfte-Ziegelstein" 75 Watt, DC/DC KonverterDatel
253606BCR20 x 20 Ta2 N Zurück-Treten auf Silikon in Verbindung Vishay
253607BCR 119Einzelne AF Transistoren für universelle AnwendungenInfineon
253608BCR 196Einzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SOT23Infineon
253609BCR 196WEinzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SOT323Infineon
253610BCR08AM-14Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253611BCR08AM-14NIEDRIGER ENERGIE GEBRAUCH-PLANARE PASSIVIERUNG-ART DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC)Mitsubishi Electric Corporation
253612BCR08ASNIEDRIGE ART DES ENERGIE GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ARTPowerex Power Semiconductors
253613BCR08AS-8Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253614BCR08AS-8DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) NIEDRIGE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ARTMitsubishi Electric Corporation
253615BCR08AS-8NIEDRIGE ART DES ENERGIE GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ARTPowerex Power Semiconductors
253616BCR08PNDigital Transistoren - Paket SOT363Infineon
253617BCR08PNNPN/PNP Silikon-Digital Tansistor Reihe (Schaltung Stromkreis, Inverter, Schnittstellenleitung, Antrieb Stromkreis)Siemens
253618BCR10NPN/PNP Silikon-Digital Transistor-ReiheInfineon



253619BCR10NPN/PNP Silikon-Digital Tansistor Reihe (Schaltung Stromkreisinverter-Schnittstellenleitung Antrieb Stromkreis)Siemens
253620BCR101NPN Silikon-Digital TransistorInfineon
253621BCR101FNPN Silikon-Digital TransistorInfineon
253622BCR101FE6327Digital Transistoren - R1 = kOhm 100;R2 = kOhm 100Infineon
253623BCR101L3Einzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSLP-3Infineon
253624BCR101L3E6327Digital Transistoren - R1 = kOhm 100;R2 = kOhm 100Infineon
253625BCR101TEinzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SC75Infineon
253626BCR101TE6327Digital Transistoren - R1=100kOhm; R2=100kOhmInfineon
253627BCR103NPN Silikon-Digital TransistorInfineon
253628BCR103FEinzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSFP-3Infineon
253629BCR103FE6327Digital Transistoren - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 2.2Infineon
253630BCR103L3Einzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSLP-3Infineon
253631BCR103L3E6327Digital Transistoren - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 2.2Infineon
253632BCR103TEinzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SC75Infineon
253633BCR103TE6327Digital Transistoren - R1 = 2,2kOhm; R2 = 2,2kOhmInfineon
253634BCR103UNPN Silikon-Digital TransistorInfineon
253635BCR108NPN Silikon-Digital Transistor (Schaltung Stromkreis, Inverter, Schnittstellenleitung, TreiberstromkreisSiemens
253636BCR108Einzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SOT23Infineon
253637BCR108E6327Digital Transistoren - kOhm R1=2.2; R2=47kOhmInfineon
253638BCR108FEinzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSFP-3Infineon
253639BCR108FE6327Digital Transistoren - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 47Infineon
253640BCR108L3Einzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSLP-3Infineon
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