Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
253601 | BCP72M | PNP Silikon Af Energie Transistor | Infineon |
253602 | BCP72M | PNP Silikon AF Energie Transistor (Abflußschalter für Rf Endverstärkerstadien für hohen Kollektorstrom des AF Treibers und Ausgang Stadien) | Siemens |
253603 | BCP75W | 5V und 3.3V, "Hälfte-Ziegelstein" 75 Watt, DC/DC Konverter | Datel |
253604 | BCP75W | 5V und 3.3V, "Hälfte-Ziegelstein" 75 Watt, DC/DC Konverter | Datel |
253605 | BCP75W | 5V und 3.3V, "Hälfte-Ziegelstein" 75 Watt, DC/DC Konverter | Datel |
253606 | BCR | 20 x 20 Ta2 N Zurück-Treten auf Silikon in Verbindung | Vishay |
253607 | BCR 119 | Einzelne AF Transistoren für universelle Anwendungen | Infineon |
253608 | BCR 196 | Einzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SOT23 | Infineon |
253609 | BCR 196W | Einzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SOT323 | Infineon |
253610 | BCR08AM-14 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
253611 | BCR08AM-14 | NIEDRIGER ENERGIE GEBRAUCH-PLANARE PASSIVIERUNG-ART DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
253612 | BCR08AS | NIEDRIGE ART DES ENERGIE GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Powerex Power Semiconductors |
253613 | BCR08AS-8 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
253614 | BCR08AS-8 | DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) NIEDRIGE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
253615 | BCR08AS-8 | NIEDRIGE ART DES ENERGIE GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Powerex Power Semiconductors |
253616 | BCR08PN | Digital Transistoren - Paket SOT363 | Infineon |
253617 | BCR08PN | NPN/PNP Silikon-Digital Tansistor Reihe (Schaltung Stromkreis, Inverter, Schnittstellenleitung, Antrieb Stromkreis) | Siemens |
253618 | BCR10 | NPN/PNP Silikon-Digital Transistor-Reihe | Infineon |
253619 | BCR10 | NPN/PNP Silikon-Digital Tansistor Reihe (Schaltung Stromkreisinverter-Schnittstellenleitung Antrieb Stromkreis) | Siemens |
253620 | BCR101 | NPN Silikon-Digital Transistor | Infineon |
253621 | BCR101F | NPN Silikon-Digital Transistor | Infineon |
253622 | BCR101FE6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 100;R2 = kOhm 100 | Infineon |
253623 | BCR101L3 | Einzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSLP-3 | Infineon |
253624 | BCR101L3E6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 100;R2 = kOhm 100 | Infineon |
253625 | BCR101T | Einzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SC75 | Infineon |
253626 | BCR101TE6327 | Digital Transistoren - R1=100kOhm; R2=100kOhm | Infineon |
253627 | BCR103 | NPN Silikon-Digital Transistor | Infineon |
253628 | BCR103F | Einzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSFP-3 | Infineon |
253629 | BCR103FE6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 2.2 | Infineon |
253630 | BCR103L3 | Einzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSLP-3 | Infineon |
253631 | BCR103L3E6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 2.2 | Infineon |
253632 | BCR103T | Einzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SC75 | Infineon |
253633 | BCR103TE6327 | Digital Transistoren - R1 = 2,2kOhm; R2 = 2,2kOhm | Infineon |
253634 | BCR103U | NPN Silikon-Digital Transistor | Infineon |
253635 | BCR108 | NPN Silikon-Digital Transistor (Schaltung Stromkreis, Inverter, Schnittstellenleitung, Treiberstromkreis | Siemens |
253636 | BCR108 | Einzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SOT23 | Infineon |
253637 | BCR108E6327 | Digital Transistoren - kOhm R1=2.2; R2=47kOhm | Infineon |
253638 | BCR108F | Einzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSFP-3 | Infineon |
253639 | BCR108FE6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 47 | Infineon |
253640 | BCR108L3 | Einzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSLP-3 | Infineon |
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