Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
253641 | BCR108L3E6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 47 | Infineon |
253642 | BCR108S | NPN Silikon-Digital Transistor-Reihe (Schaltung Stromkreis, Inverter, Schnittstellenleitung, Treiberstromkreis) | Siemens |
253643 | BCR108S | NPN Silikon-Digital Transistor | Infineon |
253644 | BCR108S E6327 | Eingebaute Widerstand Af Verdoppelungtransistoren; 2xNPN; Industrielle Standars Arten, Icmax von 100mA; Vceo von 50V | Infineon |
253645 | BCR108SE6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 2.2; R2 = 47 kOhm SOT363 | Infineon |
253646 | BCR108T | Einzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SC75 | Infineon |
253647 | BCR108TE6327 | Digital Transistoren - R1 = 2,2kOhm; R2 = 47kOhm | Infineon |
253648 | BCR108W | NPN Silikon-Digital Transistor (Schaltung Stromkreis, Inverter, Schnittstellenleitung, Treiberstromkreis) | Siemens |
253649 | BCR108W | Einzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SOT323 | Infineon |
253650 | BCR108WE6327 | Digital Transistoren - kOhm R1=2.2; KOhm R2=47 | Infineon |
253651 | BCR10CM | DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
253652 | BCR10CM | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-10 | Powerex Power Semiconductors |
253653 | BCR10CM-12 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
253654 | BCR10CM-12 | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-10 | Powerex Power Semiconductors |
253655 | BCR10CM-12L | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-10 | Powerex Power Semiconductors |
253656 | BCR10CM-8 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
253657 | BCR10CM-8 | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-10 | Powerex Power Semiconductors |
253658 | BCR10CM-8L | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-10 | Powerex Power Semiconductors |
253659 | BCR10CS | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
253660 | BCR10CS | DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
253661 | BCR10CS | MITTLERE ART DES ENERGIE GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Powerex Power Semiconductors |
253662 | BCR10PM | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
253663 | BCR10PM | MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
253664 | BCR10PM | Lokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-10 | Powerex Power Semiconductors |
253665 | BCR10PM-12 | Lokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-10 | Powerex Power Semiconductors |
253666 | BCR10PM-12L | Lokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-10 | Powerex Power Semiconductors |
253667 | BCR10PM-8 | Lokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-10 | Powerex Power Semiconductors |
253668 | BCR10PM-8L | Lokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-10 | Powerex Power Semiconductors |
253669 | BCR10PN | Digital Transistoren - Paket SOT363 | Infineon |
253670 | BCR10PN | NPN/PNP Silikon-Digital Tansistor Reihe (Schaltung Stromkreis, Inverter, Schnittstellenleitung, Antrieb Stromkreis) | Siemens |
253671 | BCR10UM | MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, GLASPASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
253672 | BCR112 | Digital Transistoren - kOhm R1=4.7; KOhm R2=4.7 | Infineon |
253673 | BCR112 | NPN Silikon-Digital Transistor (Schaltung Stromkreis, Inverter, inferface Stromkreis, Treiberstromkreis) | Siemens |
253674 | BCR112F | Einzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSFP-3 | Infineon |
253675 | BCR112FE6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 4.7; R2 = kOhm 4.7 | Infineon |
253676 | BCR112L3 | Einzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSLP-3 | Infineon |
253677 | BCR112L3E6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 4.7; R2 = kOhm 4.7 | Infineon |
253678 | BCR112T | Einzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SC75 | Infineon |
253679 | BCR112TE6327 | Digital Transistoren - kOhm R1=4.7; KOhm R2=4.7 | Infineon |
253680 | BCR112U | NPN Silikon-Digital Transistor | Infineon |
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