| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 253881 | BCR169 | PNP Silikon-Digital Transistor (Schaltung Stromkreis, Inverter, Schnittstellenleitung, Treiberstromkreis) | Siemens |
| 253882 | BCR169F | Einzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSFP-3 | Infineon |
| 253883 | BCR169FE6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 4.7 | Infineon |
| 253884 | BCR169L3 | Einzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSLP-3 | Infineon |
| 253885 | BCR169L3E6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 4.7 | Infineon |
| 253886 | BCR169S | Digital Transistoren - Paket SOT363 | Infineon |
| 253887 | BCR169S | PNP Silikon-Digital Transistor-Reihe (Schaltung Stromkreis, Inverter, Schnittstellenleitung, Treiberstromkreis) | Siemens |
| 253888 | BCR169T | Einzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SC75 | Infineon |
| 253889 | BCR169TE6327 | Digital Transistoren - kOhm R1=4,7 | Infineon |
| 253890 | BCR169U | Digital Transistoren - Paket SC74 | Infineon |
| 253891 | BCR169W | Digital Transistoren - R1 = kOhm 4.7 | Infineon |
| 253892 | BCR169W | PNP Silikon-Digital Transistor (Schaltung Stromkreis, Inverter, Schnittstellenleitung, Treiberstromkreis) | Siemens |
| 253893 | BCR16A | MITTLERER ENERGIE GEBRAUCH A, B, C Des MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC): NON-INSULATED ART E: ISOLIERART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253894 | BCR16B | MITTLERER ENERGIE GEBRAUCH A, B, C Des MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC): NON-INSULATED ART E: ISOLIERART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253895 | BCR16C | MITTLERER ENERGIE GEBRAUCH A, B, C Des MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC): NON-INSULATED ART E: ISOLIERART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253896 | BCR16CM | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253897 | BCR16CM | DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253898 | BCR16CM | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253899 | BCR16CM-12 | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253900 | BCR16CM-12L | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253901 | BCR16CM-8 | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253902 | BCR16CM-8L | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253903 | BCR16CS | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253904 | BCR16CS | DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253905 | BCR16CS | MITTLERE ART DES ENERGIE GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Powerex Power Semiconductors |
| 253906 | BCR16E | MITTLERER ENERGIE GEBRAUCH A, B, C Des MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC): NON-INSULATED ART E: ISOLIERART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253907 | BCR16HM | MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, GLASPASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253908 | BCR16PM | MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253909 | BCR16PM | Lokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253910 | BCR16PM-12 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253911 | BCR16PM-12 | Lokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253912 | BCR16PM-12L | Lokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253913 | BCR16PM-8 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253914 | BCR16PM-8 | Lokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253915 | BCR16PM-8L | Lokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253916 | BCR16UM | MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, GLASPASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253917 | BCR179 | Einzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SOT23 | Infineon |
| 253918 | BCR179E6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 10 | Infineon |
| 253919 | BCR179F | Einzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSFP-3 | Infineon |
| 253920 | BCR179FE6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 10; R2 = - kOhm | Infineon |
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