Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
258601 | BDY13-16 | NPN Silikon Planares Trnasistors | Siemens |
258602 | BDY13-6 | NPN Silikon Planares Trnasistors | Siemens |
258603 | BDY20 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
258604 | BDY23 | Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci du.ej mocy | Ultra CEMI |
258605 | BDY24 | Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci du.ej mocy | Ultra CEMI |
258606 | BDY24C | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
258607 | BDY25 | Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci du.ej mocy | Ultra CEMI |
258608 | BDY25 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
258609 | BDY25B | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
258610 | BDY25C | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
258611 | BDY26 | NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESA | Comset Semiconductors |
258612 | BDY26 | NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESA | Comset Semiconductors |
258613 | BDY27 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
258614 | BDY28 | NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESA | Comset Semiconductors |
258615 | BDY28 | NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESA | Comset Semiconductors |
258616 | BDY28B | ZWEIPOLIGE NPN VORRICHTUNG IN Einem HERMETISCH SIEGELPAKET Des METALLTO3 | SemeLAB |
258617 | BDY28B | ZWEIPOLIGE NPN VORRICHTUNG IN Einem HERMETISCH SIEGELPAKET Des METALLTO3 | SemeLAB |
258618 | BDY29 | HOHE ENERGIE HOHER GEGENWÄRTIGER TRANSISTOR | General Electric Solid State |
258619 | BDY29 | HOHE ENERGIE HOHER GEGENWÄRTIGER TRANSISTOR | General Electric Solid State |
258620 | BDY42 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
258621 | BDY42 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
258622 | BDY44 | BDY44 | SemeLAB |
258623 | BDY44 | BDY44 | SemeLAB |
258624 | BDY47 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
258625 | BDY53 | NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESA | Comset Semiconductors |
258626 | BDY53 | NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESA | Comset Semiconductors |
258627 | BDY54 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
258628 | BDY55 | NPNSILICON TRANSISTOREN, ZERSTREUTE MESA(LF Große Signal-Energie Amplificational Stark Gegenwärtige Schnelle Schaltung) | Comset Semiconductors |
258629 | BDY55 | NPNSILICON TRANSISTOREN, ZERSTREUTE MESA(LF Große Signal-Energie Amplificational Stark Gegenwärtige Schnelle Schaltung) | Comset Semiconductors |
258630 | BDY56 | NPNSILICON TRANSISTOREN, ZERSTREUTE MESA(LF Große Signal-Energie Amplificational Stark Gegenwärtige Schnelle Schaltung) | Comset Semiconductors |
258631 | BDY56 | NPNSILICON TRANSISTOREN, ZERSTREUTE MESA(LF Große Signal-Energie Amplificational Stark Gegenwärtige Schnelle Schaltung) | Comset Semiconductors |
258632 | BDY57 | NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESA | Comset Semiconductors |
258633 | BDY57 | NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESA | Comset Semiconductors |
258634 | BDY58 | NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESA | Comset Semiconductors |
258635 | BDY58 | NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESA | Comset Semiconductors |
258636 | BDY58A | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
258637 | BDY58S | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
258638 | BDY58S | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
258639 | BDY60 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
258640 | BDY61 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
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