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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
258601BDY13-16NPN Silikon Planares TrnasistorsSiemens
258602BDY13-6NPN Silikon Planares TrnasistorsSiemens
258603BDY20Zweipolige NPN VorrichtungSemeLAB
258604BDY23Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci du.ej mocyUltra CEMI
258605BDY24Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci du.ej mocyUltra CEMI
258606BDY24CZweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3SemeLAB
258607BDY25Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci du.ej mocyUltra CEMI
258608BDY25Zweipolige NPN VorrichtungSemeLAB
258609BDY25BZweipolige NPN VorrichtungSemeLAB
258610BDY25CZweipolige NPN VorrichtungSemeLAB
258611BDY26NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESAComset Semiconductors
258612BDY26NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESAComset Semiconductors
258613BDY27Zweipolige NPN VorrichtungSemeLAB
258614BDY28NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESAComset Semiconductors
258615BDY28NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESAComset Semiconductors
258616BDY28BZWEIPOLIGE NPN VORRICHTUNG IN Einem HERMETISCH SIEGELPAKET Des METALLTO3SemeLAB
258617BDY28BZWEIPOLIGE NPN VORRICHTUNG IN Einem HERMETISCH SIEGELPAKET Des METALLTO3SemeLAB
258618BDY29HOHE ENERGIE HOHER GEGENWÄRTIGER TRANSISTORGeneral Electric Solid State
258619BDY29HOHE ENERGIE HOHER GEGENWÄRTIGER TRANSISTORGeneral Electric Solid State



258620BDY42Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3SemeLAB
258621BDY42Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3SemeLAB
258622BDY44BDY44SemeLAB
258623BDY44BDY44SemeLAB
258624BDY47Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3SemeLAB
258625BDY53NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESAComset Semiconductors
258626BDY53NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESAComset Semiconductors
258627BDY54Zweipolige NPN VorrichtungSemeLAB
258628BDY55NPNSILICON TRANSISTOREN, ZERSTREUTE MESA(LF Große Signal-Energie Amplificational Stark Gegenwärtige Schnelle Schaltung)Comset Semiconductors
258629BDY55NPNSILICON TRANSISTOREN, ZERSTREUTE MESA(LF Große Signal-Energie Amplificational Stark Gegenwärtige Schnelle Schaltung)Comset Semiconductors
258630BDY56NPNSILICON TRANSISTOREN, ZERSTREUTE MESA(LF Große Signal-Energie Amplificational Stark Gegenwärtige Schnelle Schaltung)Comset Semiconductors
258631BDY56NPNSILICON TRANSISTOREN, ZERSTREUTE MESA(LF Große Signal-Energie Amplificational Stark Gegenwärtige Schnelle Schaltung)Comset Semiconductors
258632BDY57NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESAComset Semiconductors
258633BDY57NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESAComset Semiconductors
258634BDY58NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESAComset Semiconductors
258635BDY58NPN SILIKON-TRANSISTOREN ZERSTREUTEN MESAComset Semiconductors
258636BDY58AZweipolige NPN VorrichtungSemeLAB
258637BDY58SZweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3SemeLAB
258638BDY58SZweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3SemeLAB
258639BDY60Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3SemeLAB
258640BDY61Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3SemeLAB
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