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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
352011SMC5376OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENERTRSYS
352021SMC537687 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium ZenerdiodenTRANSYS Electronics Limited
352031SMC5377OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt)Panjit International Inc
352041SMC5377OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENERTRSYS
352051SMC537791 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium ZenerdiodenTRANSYS Electronics Limited
352061SMC5378OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt)Panjit International Inc
352071SMC5378OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENERTRSYS
352081SMC5378100 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium ZenerdiodenTRANSYS Electronics Limited
352091SMC5379OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt)Panjit International Inc
352101SMC5379OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENERTRSYS
352111SMC5379110 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium ZenerdiodenTRANSYS Electronics Limited
352121SMC5380OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt)Panjit International Inc
352131SMC5380OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENERTRSYS
352141SMC5380120 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium ZenerdiodenTRANSYS Electronics Limited
352151SMC5381OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt)Panjit International Inc
352161SMC5381OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENERTRSYS
352171SMC5381130 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium ZenerdiodenTRANSYS Electronics Limited
352181SMC5382OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt)Panjit International Inc
352191SMC5382OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENERTRSYS



352201SMC5382140 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium ZenerdiodenTRANSYS Electronics Limited
352211SMC5383OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt)Panjit International Inc
352221SMC5383OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENERTRSYS
352231SMC5383150 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium ZenerdiodenTRANSYS Electronics Limited
352241SMC5384OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENERTRSYS
352251SMC5384Oberflächenmontage Silizium Zenerdiode. Leistung 5,0 Watt. Nenn Zenerspannung Vz = 160 V. Prüfstrom IZT = 8 mA.Panjit International Inc
352261SMC5384160 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium ZenerdiodenTRANSYS Electronics Limited
352271SMC5385OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt)Panjit International Inc
352281SMC5385OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENERTRSYS
352291SMC5385170 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium ZenerdiodenTRANSYS Electronics Limited
352301SMC5386OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt)Panjit International Inc
352311SMC5386OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENERTRSYS
352321SMC5386180 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium ZenerdiodenTRANSYS Electronics Limited
352331SMC5387OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt)Panjit International Inc
352341SMC5387OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENERTRSYS
352351SMC5387190 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium ZenerdiodenTRANSYS Electronics Limited
352361SMC5388OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt)Panjit International Inc
352371SMC5388OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENERTRSYS
352381SMC5388200 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium ZenerdiodenTRANSYS Electronics Limited
352391SMC54AIN EINER RICHTUNG GLAS PASSIVIERTER VERZWEIGUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER 1500 WATT, 5.0 BIS 170 VOLTCentral Semiconductor
352401SMC54A1500 Watt-Impulsverlustleistung Zener Vorübergehende Spannung EntstörerON Semiconductor
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