Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
42921 | 28LV256SM-4 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 250 ns. | Turbo IC |
42922 | 28LV256SM-5 | Geschwindigkeit: 300 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42923 | 28LV256SM-5 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 300 ns. | Turbo IC |
42924 | 28LV256SM-6 | Geschwindigkeit: 400 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42925 | 28LV256SM-6 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit von 400 ns. | Turbo IC |
42926 | 28LV256TC-3 | Geschwindigkeit: 200 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42927 | 28LV256TC-3 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 200 ns. | Turbo IC |
42928 | 28LV256TC-4 | Geschwindigkeit: 250 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42929 | 28LV256TC-4 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 250 ns. | Turbo IC |
42930 | 28LV256TC-5 | Geschwindigkeit: 300 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42931 | 28LV256TC-5 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 300 ns. | Turbo IC |
42932 | 28LV256TC-6 | Geschwindigkeit: 400 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42933 | 28LV256TC-6 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit von 400 ns. | Turbo IC |
42934 | 28LV256TI-3 | Geschwindigkeit: 200 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42935 | 28LV256TI-3 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 200 ns. | Turbo IC |
42936 | 28LV256TI-4 | Geschwindigkeit: 250 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42937 | 28LV256TI-4 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 250 ns. | Turbo IC |
42938 | 28LV256TI-5 | Geschwindigkeit: 300 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42939 | 28LV256TI-5 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 300 ns. | Turbo IC |
42940 | 28LV256TI-6 | Geschwindigkeit: 400 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42941 | 28LV256TI-6 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit von 400 ns. | Turbo IC |
42942 | 28LV256TM-3 | Geschwindigkeit: 200 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42943 | 28LV256TM-3 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 200 ns. | Turbo IC |
42944 | 28LV256TM-4 | Geschwindigkeit: 250 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42945 | 28LV256TM-4 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 250 ns. | Turbo IC |
42946 | 28LV256TM-5 | Geschwindigkeit: 300 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42947 | 28LV256TM-5 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 300 ns. | Turbo IC |
42948 | 28LV256TM-6 | Geschwindigkeit: 400 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42949 | 28LV256TM-6 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit von 400 ns. | Turbo IC |
42950 | 28LV64 | 64K-BIT CMOS PARALLELES EEPROM | Catalyst Semiconductor |
42951 | 28LV64A | Note:This Produkt ist ' überholen ' und werden angeboten nicht mehr geworden, da eine entwicklungsfähige Vorrichtung für design.28LV64A eine 64K Spitze CMOS paralleles EEPROM organisiert als Wörter 8K durch 8 Bits ist. Das 28LV64A wi | Microchip |
42952 | 28LV64A-20/L | 64K (8K x 8) Niederspannung CMOS EEPROM | Microchip |
42953 | 28LV64A-20/P | 64K (8K x 8) Niederspannung CMOS EEPROM | Microchip |
42954 | 28LV64A-20/SO | 64K (8K x 8) Niederspannung CMOS EEPROM | Microchip |
42955 | 28LV64A-20/TS | 64K (8K x 8) Niederspannung CMOS EEPROM | Microchip |
42956 | 28LV64A-20/VS | 64K (8K x 8) Niederspannung CMOS EEPROM | Microchip |
42957 | 28LV64A-20I/L | 64K (8K x 8) Niederspannung CMOS EEPROM | Microchip |
42958 | 28LV64A-20I/P | 64K (8K x 8) Niederspannung CMOS EEPROM | Microchip |
42959 | 28LV64A-20I/SO | 64K (8K x 8) Niederspannung CMOS EEPROM | Microchip |
42960 | 28LV64A-20I/TS | 64K (8K x 8) Niederspannung CMOS EEPROM | Microchip |
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