| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 44081 | 2N1711 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44082 | 2N1711 | 0.800W General Purpose NPN Metall kann der Transistor. 50V Vceo, 1.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44083 | 2N1711B | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44084 | 2N1711S | NPN Transistor | Microsemi |
| 44085 | 2N1716 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44086 | 2N1717 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44087 | 2N1722 | NPN Transistor | Microsemi |
| 44088 | 2N1724 | NPN Transistor | Microsemi |
| 44089 | 2N1770A | SCRs | Central Semiconductor |
| 44090 | 2N1771A | SCRs | Central Semiconductor |
| 44091 | 2N1772A | SCRs | Central Semiconductor |
| 44092 | 2N1773A | SCRs | Central Semiconductor |
| 44093 | 2N1774A | SCRs | Central Semiconductor |
| 44094 | 2N1775A | SCRs | Central Semiconductor |
| 44095 | 2N1776A | SCRs | Central Semiconductor |
| 44096 | 2N1777A | SCRs | Central Semiconductor |
| 44097 | 2N1778A | SCRs | Central Semiconductor |
| 44098 | 2N1792 | Phase Steuer-Störungsbesuch 70 Amoeres Average(110 Effektivwert) 600 Volt | Powerex Power Semiconductors |
| 44099 | 2N1792 | V (RRM / DRM): 50V; 110A RMS SCR. Für allgemeine puspose Phase Control-Anwendungen | International Rectifier |
| 44100 | 2N1793 | Phase Steuer-Störungsbesuch 70 Amoeres Average(110 Effektivwert) 600 Volt | Powerex Power Semiconductors |
| 44101 | 2N1793 | V (RRM / DRM): 100V; 110A RMS SCR. Für allgemeine puspose Phase Control-Anwendungen | International Rectifier |
| 44102 | 2N1794 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
| 44103 | 2N1794 | Phase Steuer-Störungsbesuch 70 Amoeres Average(110 Effektivwert) 600 Volt | Powerex Power Semiconductors |
| 44104 | 2N1794 | V (RRM / DRM): 150V; 110A RMS SCR. Für allgemeine puspose Phase Control-Anwendungen | International Rectifier |
| 44105 | 2N1795 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
| 44106 | 2N1795 | Phase Steuer-Störungsbesuch 70 Amoeres Average(110 Effektivwert) 600 Volt | Powerex Power Semiconductors |
| 44107 | 2N1795 | V (RRM / DRM): 200V; 110A RMS SCR. Für allgemeine puspose Phase Control-Anwendungen | International Rectifier |
| 44108 | 2N1796 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
| 44109 | 2N1796 | Phase Steuer-Störungsbesuch 70 Amoeres Average(110 Effektivwert) 600 Volt | Powerex Power Semiconductors |
| 44110 | 2N1796 | V (RRM / DRM): 250V; 110A RMS SCR. Für allgemeine puspose Phase Control-Anwendungen | International Rectifier |
| 44111 | 2N1797 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
| 44112 | 2N1797 | Phase Steuer-Störungsbesuch 70 Amoeres Average(110 Effektivwert) 600 Volt | Powerex Power Semiconductors |
| 44113 | 2N1797 | V (RRM / DRM): 300V; 110A RMS SCR. Für allgemeine puspose Phase Control-Anwendungen | International Rectifier |
| 44114 | 2N1798 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
| 44115 | 2N1798 | Phase Steuer-Störungsbesuch 70 Amoeres Average(110 Effektivwert) 600 Volt | Powerex Power Semiconductors |
| 44116 | 2N1798 | V (RRM / DRM): 400V; 110A RMS SCR. Für allgemeine puspose Phase Control-Anwendungen | International Rectifier |
| 44117 | 2N1799 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
| 44118 | 2N1799 | Phase Steuer-Störungsbesuch 70 Amoeres Average(110 Effektivwert) 600 Volt | Powerex Power Semiconductors |
| 44119 | 2N1799 | V (RRM / DRM): 600V; 110A RMS SCR. Für allgemeine puspose Phase Control-Anwendungen | International Rectifier |
| 44120 | 2N1800 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
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