| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 48001 | 2N5831 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | Micro Electronics |
| 48002 | 2N5831 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48003 | 2N5831 | NPN Kleinsignalhochspannungsallzweckverstärker. | Fairchild Semiconductor |
| 48004 | 2N5832 | NPN Transistor Plastik-Schachtel Zweipolig | Micro Commercial Components |
| 48005 | 2N5832 | VCE = 5,0V Transistor | MCC |
| 48006 | 2N5833 | NPN Kleinsignalhochspannungsallzweckverstärker. | Fairchild Semiconductor |
| 48007 | 2N5838 | HIGH-VOLTAGE, ENERGIE TRANSISTOREN DES HIGH-POWER SILIKON-N-P-N | Motorola |
| 48008 | 2N5838 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 48009 | 2N5838 | Hochspannungs-Hochleistungs-Silizium-NPN-Leistungstransistor. | General Electric Solid State |
| 48010 | 2N5839 | HIGH-VOLTAGE, ENERGIE TRANSISTOREN DES HIGH-POWER SILIKON-N-P-N | Motorola |
| 48011 | 2N5839 | Hochspannungs-Hochleistungs-Silizium-NPN-Leistungstransistor. | General Electric Solid State |
| 48012 | 2N5840 | HIGH-VOLTAGE, ENERGIE TRANSISTOREN DES HIGH-POWER SILIKON-N-P-N | Motorola |
| 48013 | 2N5840 | Hochspannungs-Hochleistungs-Silizium-NPN-Leistungstransistor. | General Electric Solid State |
| 48014 | 2N5859 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48015 | 2N5861 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48016 | 2N5864 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39. | SemeLAB |
| 48017 | 2N5864 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39. | SemeLAB |
| 48018 | 2N5867 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 48019 | 2N5870 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 48020 | 2N5870 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 48021 | 2N5871 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 48022 | 2N5872 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 48023 | 2N5873 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 48024 | 2N5874 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3. | SemeLAB |
| 48025 | 2N5875 | ENERGIE TRANSISTORS(10A, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48026 | 2N5875 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48027 | 2N5876 | ENERGIE TRANSISTORS(10A, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48028 | 2N5876 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48029 | 2N5877 | ENERGIE TRANSISTORS(10A, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48030 | 2N5877 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48031 | 2N5878 | ENERGIE TRANSISTORS(10A, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48032 | 2N5878 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48033 | 2N5879 | ENERGIE TRANSISTORS(15A, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48034 | 2N5879 | ERGÄNZENDE TRANSISTOREN DES SILIKON-HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48035 | 2N5879 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48036 | 2N5880 | ENERGIE TRANSISTORS(15A, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48037 | 2N5880 | ERGÄNZENDE TRANSISTOREN DES SILIKON-HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48038 | 2N5880 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48039 | 2N5881 | ENERGIE TRANSISTORS(15A, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48040 | 2N5881 | ERGÄNZENDE TRANSISTOREN DES SILIKON-HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
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