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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
531612SC2060ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WARROHM
531622SC2060TO-92MOD Plastik-Kapseln Transistoren EinUnknow
531632SC2060TRANSISTOREN ZU 92L TO-92LS MRTROHM
531642SC2060ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WARROHM
531652SC2061TRANSISTOREN ZU 92L TO-92LS MRTROHM
531662SC2061ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WARROHM
531672SC2061TRANSISTOREN ZU 92L TO-92LS MRTROHM
531682SC2061ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WARROHM
531692SC2062STransistoren > kleines Signal zweipoliges Transistors(up zu 0.6W)ROHM
531702SC2063Epitaxial- Planare NPN Silikon-Transistoren des Rf Verstärker-ROHM
531712SC2068SILIKON NPN DREIFACHES ZERSTREUTES TYPE(PCT PROZESS)TOSHIBA
531722SC2068SILIKON NPN DREIFACHES ZERSTREUTES TYPE(PCT PROZESS)TOSHIBA
531732SC2073ENERGIE TRANSISTORS(1.5A, 150v, 25w)MOSPEC Semiconductor
531742SC2073ADREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) ENDVERSTÄRKER UND VERTIKALE OUTPUT-ANWENDUNGENTOSHIBA
531752SC2075EPITAXIAL- TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN)TOSHIBA
531762SC2075EPITAXIAL- TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN)TOSHIBA
531772SC2076Silikon NPN Epitaxial- PlanaresUnknow
531782SC2076Silikon NPN Epitaxial- PlanaresUnknow



531792SC2076Si NPN Epitaxial- planare. RF-Verstärker.Panasonic
531802SC2078NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor 27MHz Rf Endverstärker-AnwendungenSANYO
531812SC2085PLANARE ART DES SILIKON-PNP TRIPLE-DIFFUSEDUnknow
531822SC2085PLANARE ART DES SILIKON-PNP TRIPLE-DIFFUSEDUnknow
531832SC2085Energie Transistor - Silicon PNP Triple Diffuse Planare ArtPanasonic
531842SC2086MITSUBISHI RF ENERGIE TRANSISTORMitsubishi Electric Corporation
531852SC2091HOCHFREQUENZCENDVERSTÄRKERUnknow
531862SC2091HOCHFREQUENZCENDVERSTÄRKERUnknow
531872SC2092HOCHFREQUENZCENDVERSTÄRKERUnknow
531882SC2092HOCHFREQUENZCENDVERSTÄRKERUnknow
531892SC2094MITSUBISHI RF ENERGIE TRANSISTORMitsubishi Electric Corporation
531902SC2097MITSUBISHI RF ENERGIE TRANSISTORMitsubishi Electric Corporation
531912SC2098EPITAXIAL- PLANARES DES SILIKON-NPNTOSHIBA
531922SC2098EPITAXIAL- PLANARES DES SILIKON-NPNTOSHIBA
531932SC2099TRANSISTOR (2~30MHZ SSB LINEARE ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN) (NIEDRIGER VERSORGUNGSMATERIAL-SPANNUNG GEBRAUCH)TOSHIBA
531942SC2120Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Audioendverstärker-AnwendungenTOSHIBA
531952SC2125AENERGIE TRANSISTORShindengen
531962SC2125AENERGIE TRANSISTORShindengen
531972SC2127AENERGIE TRANSISTORShindengen
531982SC2127AENERGIE TRANSISTORShindengen
531992SC2128AENERGIE TRANSISTORShindengen
532002SC2128AENERGIE TRANSISTORShindengen
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