| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 53401 | 2SC2468 | EPITAXIAL- UHF VERSTÄRKER DES SILIKON-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53402 | 2SC2468 | EPITAXIAL- UHF VERSTÄRKER DES SILIKON-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53403 | 2SC2469 | EPITAXIAL- UHF VERSTÄRKER DES SILIKON-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53404 | 2SC2469 | EPITAXIAL- UHF VERSTÄRKER DES SILIKON-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53405 | 2SC2471 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53406 | 2SC2471 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 53407 | 2SC2472 | EPITAXIAL- UHF VERSTÄRKER DES SILIKON-NPN | Unknow |
| 53408 | 2SC2472 | EPITAXIAL- UHF VERSTÄRKER DES SILIKON-NPN | Unknow |
| 53409 | 2SC2480 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Hoch-Frequenz für Tuners | Panasonic |
| 53410 | 2SC2482 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG DESTRANSISTOR-SILIKON-NPN UND VERSTÄRKER, FARBE FERNSEHAPPARAT HORIZ.TREIBER UND FARBE FERNSEHAPPARAT FARBENREINHEIT-OUTPUT-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 53411 | 2SC2484 | Silikon-NPN epitaktischen Basis-Mesa-Transistor, 80V, 5A | Panasonic |
| 53412 | 2SC2485 | NIEDRIGER LESA TRANSISTOR DES SILIKON-EPITAXAL | Panasonic |
| 53413 | 2SC2486 | NIEDRIGER LESA TRANSISTOR DES SILIKON-EPITAXAL | Panasonic |
| 53414 | 2SC2488 | SI NPN EPITAXIAL- MESA | Panasonic |
| 53415 | 2SC2489 | SI NPN EPITAXIAL- MESA | Panasonic |
| 53416 | 2SC2497 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Andere | Panasonic |
| 53417 | 2SC2497A | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Andere | Panasonic |
| 53418 | 2SC2498 | Epitaxial- Planare Art VHF~UHF Band-Niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendung Des Transistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
| 53419 | 2SC2500 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN MITTLERE ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 53420 | 2SC2502 | ENERGIE TRANSISTORS(6.0A, 400v, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53421 | 2SC2504 | 100W T10V | Shindengen |
| 53422 | 2SC2510 | EPITAXIAL- PLANARE ART 2~30MHZ SSB LINEARE ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN (SPANNUNG GEBRAUCH DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN DES VERSORGUNGSMATERIAL-28V) | TOSHIBA |
| 53423 | 2SC2512 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53424 | 2SC2512 | Dreifaches Des Silikon-NPN Zerstreut | Hitachi Semiconductor |
| 53425 | 2SC2517 | Silikontransistor | NEC |
| 53426 | 2SC2517-S | Silikontransistor | NEC |
| 53427 | 2SC2517-Z | Silikontransistor | NEC |
| 53428 | 2SC2518 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | NEC |
| 53429 | 2SC2518 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | NEC |
| 53430 | 2SC2519 | EPITAXIAL- PLANARES DES SILIKON-NPN | Panasonic |
| 53431 | 2SC2519 | EPITAXIAL- PLANARES DES SILIKON-NPN | Panasonic |
| 53432 | 2SC2525 | SILIKON-SCHNELLENERGIE TRANSISTOR | Fujitsu Microelectronics |
| 53433 | 2SC2525 | TRANSISTOR (TONFREQUENZ-ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
| 53434 | 2SC2526 | SILIKON-SCHNELLENERGIE TRANSISTOR | Fujitsu Microelectronics |
| 53435 | 2SC2527 | SILIKON-SCHNELLENERGIE TRANSISTOR | Fujitsu Microelectronics |
| 53436 | 2SC2527 | SILIKON-SCHNELLENERGIE TRANSISTOR | Fujitsu Microelectronics |
| 53437 | 2SC2532 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Tonfrequenz-Verstärker-Anwendungen Treiberstufe für LED Lampe Einsatztemperatur-Ausgleich Anwendungen | TOSHIBA |
| 53438 | 2SC2538 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53439 | 2SC2539 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53440 | 2SC2540 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| | | |
