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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
568441IRF722N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.5A.General Electric Solid State
568442IRF722N-Kanal-MOSFET, 400V, 2.8ASGS Thomson Microelectronics
568443IRF7220-12V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568444IRF7220PBFHEXFET Energie MosfetInternational Rectifier
568445IRF7220PBFHEXFET Energie MosfetInternational Rectifier
568446IRF7220TR-12V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568447IRF722F1N-Kanal-MOSFET, 400V, 2ASGS Thomson Microelectronics
568448IRF723N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 350-400 VFairchild Semiconductor
568449IRF723TRANSISTOREN N-CHANNELInternational Rectifier
568450IRF723N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.5A.General Electric Solid State
568451IRF723N-Kanal-MOSFET, 350V, 2.8ASGS Thomson Microelectronics
568452IRF7233-12V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568453IRF7233Thermoelektrischer Kühlvorrichtung-SteuerpultAnalog Devices
568454IRF7233PBF-12V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568455IRF7233TR-12V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568456IRF723F1N-Kanal-MOSFET, 350V, 2ASGS Thomson Microelectronics
568457IRF7240-40V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568458IRF7240TR-40V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568459IRF7241-40V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier



568460IRF7241TR-40V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568461IRF7305.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Führung Energie MosfetFairchild Semiconductor
568462IRF730N-CHANNEL 400V - 0.75 OHM - 5.5A - TO-220 POWERMESH II MOSFETST Microelectronics
568463IRF730400V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
568464IRF730N - FÜHRUNG 400V - 0.75 W - 5.5A - TO-220 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
568465IRF730PowerMOS Transistor Lawine Energie veranschlugPhilips
568466IRF7305.5A/ 400V/ 1.000 Ohm N-Führung Energie MosfetIntersil
568467IRF730N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.5A.General Electric Solid State
568468IRF730120V verdoppeln N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568469IRF7301TR20V verdoppeln N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568470IRF730330V verdoppeln N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568471IRF7303TR30V verdoppeln N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568472IRF7304-20V verdoppeln P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568473IRF7304TR-20V verdoppeln P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568474IRF7306-30V verdoppeln P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568475IRF7306TR-30V verdoppeln P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568476IRF730720V verdoppeln n und p Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568477IRF7307TR20V verdoppeln n und p Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568478IRF730930V verdoppeln n und p Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568479IRF7309PBF30V verdoppeln n und p Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568480IRF7309TR30V verdoppeln n und p Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
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