| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 58561 | 2SD582 | 80~100W AUDIOAMPERE, ergänzendes Paar DER ABGABELEISTUNG mit 2SB612/A | Unknow |
| 58562 | 2SD582A | 80~100W AUDIOAMPERE, ergänzendes Paar DER ABGABELEISTUNG mit 2SB612/A | Unknow |
| 58563 | 2SD582A | 80~100W AUDIOAMPERE, ergänzendes Paar DER ABGABELEISTUNG mit 2SB612/A | Unknow |
| 58564 | 2SD592 | SILIKON-TRANSISTOREN | Micro Electronics |
| 58565 | 2SD592 | Silikon NPN Epitaxial- Planer type(For Niederfrequenzausgang Verstärkung) | Panasonic |
| 58566 | 2SD592 | Silikon PNP Epitaxial- Planer type(For Niederfrequenzausgang Verstärkung) | Panasonic |
| 58567 | 2SD592A | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 58568 | 2SD592A | SILIKON-TRANSISTOREN | Micro Electronics |
| 58569 | 2SD596 | SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-MINIFORM DES TONFREQUENZ-ENDVERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 58570 | 2SD596-L | Silikontransistor | NEC |
| 58571 | 2SD596-T1B | Silikontransistor | NEC |
| 58572 | 2SD596-T2B | Silikontransistor | NEC |
| 58573 | 2SD600 | NPN Epitaxial- Planarer Silikon-Transistor 100V/120V, 1A Niedrig-Frequenz Endverstärker-Anwendungen | SANYO |
| 58574 | 2SD600K | NPN Epitaxial- Planarer Silikon-Transistor 100V/120V, 1A Niedrig-Frequenz Endverstärker-Anwendungen | SANYO |
| 58575 | 2SD601 | Si NPN Epitaxial- planare. Allgemeine Verstärker. | Panasonic |
| 58576 | 2SD601A | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 58577 | 2SD602 | Silikon NPN Epitaxial- Planerart | Panasonic |
| 58578 | 2SD602A | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 58579 | 2SD612 | NPN Epitaxial- Planarer Silikon-Transistor 25V/35V, Niedrig-Frequenz 2A Endverstärker-Anwendungen | SANYO |
| 58580 | 2SD612K | NPN Epitaxial- Planarer Silikon-Transistor 25V/35V, Niedrig-Frequenz 2A Endverstärker-Anwendungen | SANYO |
| 58581 | 2SD613 | ENERGIE TRANSISTORS(6A, 85v, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 58582 | 2SD613 | 85V/6A, AF 25 zu den Ausgang 35W Anwendungen | SANYO |
| 58583 | 2SD613 | NPN EPITAXIAL- FREQUENZ-ENDVERSTÄRKER DES SILIKON-TRANSISTOR(LOW) | Wing Shing Computer Components |
| 58584 | 2SD613P | Allgemein-Zweck Verstärker-Transistoren | SANYO |
| 58585 | 2SD620 | Silikon N-Führung MOS Fet | Panasonic |
| 58586 | 2SD621 | Für die H-Ablenkung ausgegeben mit Hochspannung | SANYO |
| 58587 | 2SD621 | Für die H-Ablenkung ausgegeben mit Hochspannung | SANYO |
| 58588 | 2SD627 | 2SD627 | SANYO |
| 58589 | 2SD627 | 2SD627 | SANYO |
| 58590 | 2SD633 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN. HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN. HAMMER-ANTRIEB, IMPULS-BEWEGUNGS-ANTRIEB ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 58591 | 2SD633 | ENERGIE TRANSISTORS(7A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 58592 | 2SD633P | V (CBO): 100V; V (CEO): 85V; V (EBO): 6V; 6A; 60W; Epitaxie-planaren Silizium-Transistor. Für 85V / 6A, AF 35 bis 45W Ausgangs Apps | SANYO |
| 58593 | 2SD634 | ENERGIE TRANSISTORS(7A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 58594 | 2SD635 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN. HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN. HAMMER-ANTRIEB, IMPULS-BEWEGUNGS-ANTRIEB ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 58595 | 2SD635 | ENERGIE TRANSISTORS(7A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 58596 | 2SD637 | Silikon NPN Epitaxial- Planerart | Panasonic |
| 58597 | 2SD638 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 58598 | 2SD639 | Silikon PNP Epitaxial- Planer type(For allgemeine Niederleistungsverstärkung) | Panasonic |
| 58599 | 2SD639 | Silikon NPN Epitaxial- Planer type(For Mittel-Energie allgemeine Verstärkung) | Panasonic |
| 58600 | 2SD640 | DREIFACHE DIFFUSEO ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
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