Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
58961 | 2SJ0536 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - MOS FETs | Panasonic |
58962 | 2SJ0536G | Silizium P-Kanal-MOSFET | Panasonic |
58963 | 2SJ0582 | Starkstromgerät - Energie MOS FETs | Panasonic |
58964 | 2SJ0672 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - MOS FETs | Panasonic |
58965 | 2SJ0674 | Silizium P-Kanal-MOS-FET | Panasonic |
58966 | 2SJ0674G | Silizium P-Kanal-MOS-FET | Panasonic |
58967 | 2SJ0675 | Silizium P-Kanal-MOSFET | Panasonic |
58968 | 2SJ103 | Fangen Sie Führung Verzweigung Art des Effekt-Transistor-Silikon-P für Audioverstärker, analogen Schalter, konstanten Strom und Widerstand-Konverter-Anwendungen auf | TOSHIBA |
58969 | 2SJ104 | Fangen Sie Führung Verzweigung Art des Effekt-Transistor-Silikon-P für Audioverstärker, analogen Schalter, konstanten Strom und Widerstand-Konverter-Anwendungen auf | TOSHIBA |
58970 | 2SJ105 | Fangen Sie Führung Verzweigung Art des Effekt-Transistor-Silikon-P für Audioverstärker, analogen Schalter, konstanten Strom und Widerstand-Konverter-Anwendungen auf | TOSHIBA |
58971 | 2SJ106 | Fangen Sie Führung Verzweigung Art Tonfrequenz-Verstärker-Anwendungen Analoge Schalter-Anwendungen Konstante Gegenwärtige Anwendungen Widerstand-Konverter-Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-P auf | TOSHIBA |
58972 | 2SJ107 | Fangen Sie Führung Verzweigung Art des Effekt-Transistor-Silikon-P für Audioverstärker, analogen Schalter, konstanten Strom und Widerstand-Konverter-Anwendungen auf | TOSHIBA |
58973 | 2SJ108 | Fangen Sie Führung Verzweigung Art Niedrige Geräusch-Audioverstärker-Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-P auf | TOSHIBA |
58974 | 2SJ109 | P CAHNNEL VERZWEIGUNG ART (NIEDRIGE GERÄUSCH-AUDIOVERSTÄRKER-DIFFERENTIALVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
58975 | 2SJ113 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
58976 | 2SJ113 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
58977 | 2SJ115 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Unknow |
58978 | 2SJ115 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Unknow |
58979 | 2SJ116 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
58980 | 2SJ116 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
58981 | 2SJ117 | Silikon P-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
58982 | 2SJ118 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Unknow |
58983 | 2SJ118 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Unknow |
58984 | 2SJ119 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Unknow |
58985 | 2SJ119 | MOS FET DES SILIKON-P-CHANNEL | Unknow |
58986 | 2SJ125 | 150mW SMD J-FET (Feldeffekttransistor), die maximale Bewertung: 50V Vgdo, -10mA Ig, -1 bis -12 mA Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
58987 | 2SJ128 | Elektrischer MOS fangen Effektenergie Transistor auf | NEC |
58988 | 2SJ128-Z | Elektrischer MOS fangen Effektenergie Transistor auf | NEC |
58989 | 2SJ130 | Silikon P-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
58990 | 2SJ130(L) | Leistungsschalter-MOSFET | Hitachi Semiconductor |
58991 | 2SJ130(L)/(S) | Silikon P-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
58992 | 2SJ130(S) | Leistungsschalter-MOSFET | Hitachi Semiconductor |
58993 | 2SJ130L | Silikon P-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
58994 | 2SJ130L | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
58995 | 2SJ130S | Silikon P-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
58996 | 2SJ130S | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
58997 | 2SJ132 | Elektrischer MOS fangen Effektenergie Transistor auf | NEC |
58998 | 2SJ132-Z | Elektrischer MOS fangen Effektenergie Transistor auf | NEC |
58999 | 2SJ133 | Elektrischer MOS fangen Effektenergie Transistor auf | NEC |
59000 | 2SJ133-Z | Elektrischer MOS fangen Effektenergie Transistor auf | NEC |
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