| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 59281 | 2SJ327-Z | SCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 59282 | 2SJ327-Z-E1 | P-Führung Verbesserung Art | NEC |
| 59283 | 2SJ327-Z-E2 | P-Führung Verbesserung Art | NEC |
| 59284 | 2SJ327-Z-T1 | P-Führung Verbesserung Art | NEC |
| 59285 | 2SJ327-Z-T2 | P-Führung Verbesserung Art | NEC |
| 59286 | 2SJ328 | SCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 59287 | 2SJ328-S | P-Führung Verbesserung Art | NEC |
| 59288 | 2SJ328-Z | SCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 59289 | 2SJ328-Z-E1 | P-Führung Verbesserung Art | NEC |
| 59290 | 2SJ328-Z-E2 | P-Führung Verbesserung Art | NEC |
| 59291 | 2SJ329 | SCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 59292 | 2SJ330 | SCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 59293 | 2SJ331 | SCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 59294 | 2SJ334 | Fangen Sie Führung MOS Art des Effekt-Transistor-Silikon-P (L2-pi-MOSV) DC DC Konverter-, Relais-Antrieb und Bewegungs-Antrieb Anwendungen auf | TOSHIBA |
| 59295 | 2SJ337 | Sehr Schnellschaltung Anwendungen | SANYO |
| 59296 | 2SJ338 | Fangen Sie Führung MOS Art Tonfrequenz-Endverstärker-Anwendung Des Effekt-Transistor-Silikon-P auf | TOSHIBA |
| 59297 | 2SJ339 | P-Führung Silikon Mosfet Ultrahoch-Geschwindigkeit Schaltung Anwendungen | SANYO |
| 59298 | 2SJ340 | P-Führung Silikon Mosfet Ultrahoch-Geschwindigkeit Schaltung Anwendungen | SANYO |
| 59299 | 2SJ342 | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Entsprechung Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-P auf | TOSHIBA |
| 59300 | 2SJ343 | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Entsprechung Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-P auf | TOSHIBA |
| 59301 | 2SJ344 | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Entsprechung Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-P auf | TOSHIBA |
| 59302 | 2SJ345 | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Entsprechung Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-P auf | TOSHIBA |
| 59303 | 2SJ346 | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Entsprechung Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-P auf | TOSHIBA |
| 59304 | 2SJ347 | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Entsprechung Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-P auf | TOSHIBA |
| 59305 | 2SJ348 | Hohe Ausgang MOSFETs | SANYO |
| 59306 | 2SJ349 | Fangen Sie Führung MOS Art des Effekt-Transistor-Silikon-P (L2-pi-MOSV) DC DC Konverter-, Relais-Antrieb und Bewegungs-Antrieb Anwendungen auf | TOSHIBA |
| 59307 | 2SJ350 | Silikon P-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 59308 | 2SJ350 | Silikon P-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 59309 | 2SJ350 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 59310 | 2SJ351 | Silikon P-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 59311 | 2SJ351 | Silikon P-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 59312 | 2SJ351 | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 59313 | 2SJ352 | Silikon P-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 59314 | 2SJ352 | Silikon P-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 59315 | 2SJ352 | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 59316 | 2SJ353 | P-CHANNEL MOS FET FÜR HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTUNG | NEC |
| 59317 | 2SJ353-T | P-Führung MOS-Art Silikon fangen Effekttransistor auf (-60 | NEC |
| 59318 | 2SJ355 | P-CHANNEL MOS FET FÜR HOHE SCHALTUNG | NEC |
| 59319 | 2SJ355-T1 | P-Führung MOS Fet (-30V, +-2A) | NEC |
| 59320 | 2SJ355-T2 | P-Führung MOS Fet (-30V, +-2A) | NEC |
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