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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
610561KM416V1000BJL-51m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
610562KM416V1000BJL-61m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
610563KM416V1000BJL-71m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
610564KM416V1000BT-51m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
610565KM416V1000BT-61m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
610566KM416V1000BT-71m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
610567KM416V1000BTL-51m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
610568KM416V1000BTL-61m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
610569KM416V1000BTL-71m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
610570KM416V1000C1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
610571KM416V1000CJ-51m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
610572KM416V1000CJ-61m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
610573KM416V1000CJL-51m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
610574KM416V1000CJL-61m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
610575KM416V1000CT-51m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
610576KM416V1000CT-61m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
610577KM416V1000CTL-51m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
610578KM416V1000CTL-61m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
610579KM416V1004A1M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUSSamsung Electronic



610580KM416V1004A-61M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUSSamsung Electronic
610581KM416V1004A-71M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUSSamsung Electronic
610582KM416V1004A-81M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUSSamsung Electronic
610583KM416V1004A-F61M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUSSamsung Electronic
610584KM416V1004A-F71M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUSSamsung Electronic
610585KM416V1004A-F81M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUSSamsung Electronic
610586KM416V1004A-L61M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUSSamsung Electronic
610587KM416V1004A-L71M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUSSamsung Electronic
610588KM416V1004A-L81M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUSSamsung Electronic
610589KM416V1004AJ-63.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
610590KM416V1004AJ-73.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70nsSamsung Electronic
610591KM416V1004AJ-83.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 80nsSamsung Electronic
610592KM416V1004AJ-F63.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
610593KM416V1004AJ-F73.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70nsSamsung Electronic
610594KM416V1004AJ-F83.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 80nsSamsung Electronic
610595KM416V1004AJ-L63.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
610596KM416V1004AJ-L73.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70nsSamsung Electronic
610597KM416V1004AJ-L83.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 80nsSamsung Electronic
610598KM416V1004AR-63.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
610599KM416V1004AR-73.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70nsSamsung Electronic
610600KM416V1004AR-83.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 80nsSamsung Electronic
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