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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
610801KM418RD32C128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
610802KM418RD32D128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
610803KM418RD4AC128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
610804KM418RD4AD128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
610805KM418RD4C128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
610806KM418RD4D128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
610807KM418RD8AC128/144Mbit RDRAMSamsung Electronic
610808KM418RD8AC(D)-RG60128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
610809KM418RD8AC(D)-RK70128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
610810KM418RD8AC(D)-RK80128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
610811KM418RD8AC-RG60256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, Geschwindigkeit: 600 Mbps (300 MHz).Samsung Electronic
610812KM418RD8AC-RK70256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, Geschwindigkeit: 711 Mbps (356 MHz).Samsung Electronic
610813KM418RD8AC-RK80256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, Geschwindigkeit: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
610814KM418RD8AD128/144Mbit RDRAMSamsung Electronic
610815KM418RD8AD-RG60256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, Geschwindigkeit: 600 Mbps (300 MHz).Samsung Electronic
610816KM418RD8AD-RK70256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, Geschwindigkeit: 711 Mbps (356 MHz).Samsung Electronic
610817KM418RD8AD-RK80256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, Geschwindigkeit: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
610818KM418RD8C128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
610819KM418RD8D128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic



610820KM41C4000D4M x 1Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
610821KM41C4000DJ-54m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 16ms aktualisieren, 50nsSamsung Electronic
610822KM41C4000DJ-64m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 16ms aktualisieren, 60nsSamsung Electronic
610823KM41C4000DJ-74m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 16ms aktualisieren, 70nsSamsung Electronic
610824KM41C4000DLJ-54m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 128ms refresh, 50nsSamsung Electronic
610825KM41C4000DLJ-64m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 128ms refresh, 60nsSamsung Electronic
610826KM41C4000DLJ-74m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 128ms refresh, 70nsSamsung Electronic
610827KM41C4000DLT-54m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 128ms refresh, 50nsSamsung Electronic
610828KM41C4000DLT-64m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 128ms refresh, 60nsSamsung Electronic
610829KM41C4000DLT-74m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 128ms refresh, 70nsSamsung Electronic
610830KM41C4000DT-54m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 16ms aktualisieren, 50nsSamsung Electronic
610831KM41C4000DT-64m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 16ms aktualisieren, 60nsSamsung Electronic
610832KM41C4000DT-74m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 16ms aktualisieren, 70nsSamsung Electronic
610833KM41V4000D4M x 1Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
610834KM41V4000DJ-64m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 16ms Refresh, 60nsSamsung Electronic
610835KM41V4000DJ-74m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 16ms Refresh, 70nsSamsung Electronic
610836KM41V4000DLJ-64m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 128ms refresh, 60nsSamsung Electronic
610837KM41V4000DLJ-74m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 128ms refresh, 70nsSamsung Electronic
610838KM41V4000DLT-64m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 128ms refresh, 60nsSamsung Electronic
610839KM41V4000DLT-74m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 128ms refresh, 70nsSamsung Electronic
610840KM41V4000DT-64m x 1Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 16ms Refresh, 60nsSamsung Electronic
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