| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 69201 | 3N170-71 | N-Führung Verbesserung Modus Mosfet Schalter | Calogic |
| 69202 | 3N171 | N-Führung Verbesserung Modus Mosfet Schalter | Calogic |
| 69203 | 3N171 | N-Führung Verbesserung Modus Mosfet | Linear Systems |
| 69204 | 3N171 | N-CHANNEL MOSFET VERBESSERUNG MODUS | Linear Technology |
| 69205 | 3N171 | N-Kanal-MOSFET-Schalter Enchancement Modus. | Intersil |
| 69206 | 3N172 | Diode Geschützter P-Führung Verbesserung Modus Mosfet Universeller Zweck Amplifier/Switch | Calogic |
| 69207 | 3N172-73 | Diode Geschützter P-Führung Verbesserung Modus Mosfet Universeller Zweck Amplifier/Switch | Calogic |
| 69208 | 3N173 | Diode Geschützter P-Führung Verbesserung Modus Mosfet Universeller Zweck Amplifier/Switch | Calogic |
| 69209 | 3N187 | DOPPELINSULATED-GATE fangen-EFFECT TRANSISTOR DES SILIKON- | Vaishali Semiconductor |
| 69210 | 3N187 | Silicium Doppelschicht-Feldeffekttransistor ist. | General Electric Solid State |
| 69211 | 3N188 | DOPPELP FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUSMOSFET | Intersil |
| 69212 | 3N188 | DOPPELP FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUSMOSFET | Intersil |
| 69213 | 3N189 | DOPPELP FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUSMOSFET | Intersil |
| 69214 | 3N189 | DOPPELP FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUSMOSFET | Intersil |
| 69215 | 3N190 | DoppelP-führung Verbesserung Modus Mosfet Zweck-Verstärker | Calogic |
| 69216 | 3N190 | P-Führung Verbesserung Modus Mosfet | Linear Systems |
| 69217 | 3N190 | Dual P-Kanal-MOSFET Enchancement Allzweckverstärker. | Intersil |
| 69218 | 3N190-1 | P-CHANNEL VERDOPPELN MOSFET VERBESSERUNG MODUS | Linear Systems |
| 69219 | 3N190-91 | DoppelP-führung Verbesserung Modus Mosfet Zweck-Verstärker | Calogic |
| 69220 | 3N191 | DoppelP-führung Verbesserung Modus Mosfet Zweck-Verstärker | Calogic |
| 69221 | 3N191 | P-Führung Verbesserung Modus Mosfet | Linear Systems |
| 69222 | 3N191 | Dual P-Kanal-MOSFET Enchancement Allzweckverstärker. | Intersil |
| 69223 | 3N200 | DOPPELINSULATED-GATE fangen-EFFECT TRANSISTOR DES SILIKON- | Intersil |
| 69224 | 3N200 | Silicium Doppelschicht-Feldeffekttransistor ist. | General Electric Solid State |
| 69225 | 3N201 | DOPPELGATTERMOSFET VHF VERSTÄRKER | Motorola |
| 69226 | 3N202 | DOPPELGATTERMOSFET VHF VERSTÄRKER | Motorola |
| 69227 | 3N203 | DOPPELGATTERMOSFET VHF VERSTÄRKER | Motorola |
| 69228 | 3N204 | Silicium Doppelschicht-Feldeffekttransistor ist. | General Electric Solid State |
| 69229 | 3N204 | N-Kanal-defletion Dual-Gate-MOSFET. | Motorola |
| 69230 | 3N205 | Silicium Doppelschicht-Feldeffekttransistor ist. | General Electric Solid State |
| 69231 | 3N205 | N-Kanal-defletion Dual-Gate-MOSFET. | Motorola |
| 69232 | 3N206 | Silicium Doppelschicht-Feldeffekttransistor ist. | General Electric Solid State |
| 69233 | 3N209 | N-Kanal-defletion Dual-Gate-MOSFET UHF-Kommunikation. | Motorola |
| 69234 | 3N211 | Doppelgattermosfet VHF Amplifier(N-Führung, Entleerung) | Motorola |
| 69235 | 3N212 | Doppelgattermosfet VHF Amplifier(N-Führung, Entleerung) | Motorola |
| 69236 | 3N213 | Doppelgattermosfet VHF Amplifier(N-Führung, Entleerung) | Motorola |
| 69237 | 3N243 | Hohe Zuverlässigkeit Opeically Verband Isolatoren | Optek Technology |
| 69238 | 3N243 | Hohe Zuverlässigkeit Opeically Verband Isolatoren | Optek Technology |
| 69239 | 3N243R | Hohe Zuverlässigkeit Opeically Verband Isolatoren | Optek Technology |
| 69240 | 3N243R | Hohe Zuverlässigkeit Opeically Verband Isolatoren | Optek Technology |
| | | |
