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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
822641MG231CDOPPELSTELLE NUMERISCHE ANZEIGENMicro Electronics
822642MG240V1US41GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-NTOSHIBA
822643MG241ADOPPELSTELLE NUMERISCHE ANZEIGENMicro Electronics
822644MG241CDOPPELSTELLE NUMERISCHE ANZEIGENMicro Electronics
822645MG245ADOPPELSTELLE NUMERISCHE ANZEIGENMicro Electronics
822646MG245CDOPPELSTELLE NUMERISCHE ANZEIGENMicro Electronics
822647MG246A-BDOPPELSTELLE NUMERISCHE ANZEIGENMicro Electronics
822648MG246C-BDOPPELSTELLE NUMERISCHE ANZEIGENMicro Electronics
822649MG251ADOPPELSTELLE NUMERISCHE ANZEIGENMicro Electronics
822650MG251CDOPPELSTELLE NUMERISCHE ANZEIGENMicro Electronics
822651MG256SIEBEN SEGEMENT NUMERISCHE ANZEIGEMicro Electronics
822652MG25G2YK1TRANSISTOR-MODULEetc
822653MG25G2YL1TRANSISTOR-MODULEetc
822654MG25J1BS11N FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN)TOSHIBA
822655MG25J6ES40HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN.Unknow
822656MG25M2YK1TRANSISTOR-MODULEetc
822657MG25M2YL1TRANSISTOR-MODULEetc
822658MG25N2YK1TRANSISTOR-MODULEetc
822659MG25N2YL1TRANSISTOR-MODULEetc



822660MG25Q1BS11N FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN)TOSHIBA
822661MG25Q2YK1TRANSISTOR-MODULEetc
822662MG25Q2YL1TRANSISTOR-MODULEetc
822663MG25Q2YS40N FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN)TOSHIBA
822664MG25Q6ES42N FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN)TOSHIBA
822665MG25Q6ES50N FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN)TOSHIBA
822666MG25Q6ES50AN FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN)TOSHIBA
822667MG25Q6ES51N FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN)TOSHIBA
822668MG25Q6ES51AN FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN)TOSHIBA
822669MG2801AEINZELNE STELLE NUMERISCHE ANZEIGENMicro Electronics
822670MG2801C0,8 'einstelligen numerischen AnzeigeMicro Electronics
822671MG2C-80122.5 Gbps 850 nm PIN-TIAetc
822672MG2RTRad tolerantes 0.5 Mikron-Meer der GatterAtmel
822673MG2RTPRad hartes 0.5 Mikron-Meer der GatterAtmel
822674MG300G1UL1Silikon-NPN CTR-Modul für hohe Schalt- und MotorsteuerungsanwendungenTOSHIBA
822675MG300J1US51GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-NTOSHIBA
822676MG300J2YS50GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-NTOSHIBA
822677MG300M1UK1NPN-Transistor für Hochleistungsschalt und Notor Steuerungsanwendungen, 1000V, 300AWestcode Semiconductors
822678MG300Q1UK1NPN-Transistor für Hochleistungsschalt und Notor Steuerungsanwendungen, 1200V, 300AWestcode Semiconductors
822679MG300Q1US11ISOLIERGATTER-ZWEIPOLIGER TRANSISTORTOSHIBA
822680MG300Q1US41GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-NTOSHIBA
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