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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
892281MMDL914Schnellschaltung DiodeON Semiconductor
892282MMDL914OBERFLÄCHENEINFASSUNG HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTUNG DIODEZowie Technology Corporation
892283MMDL914T1OBERFLÄCHENEINFASSUNG SCHNELLSCHALTUNG DIODEZowie Technology Corporation
892284MMDL914T1Schnellschaltung DiodeLeshan Radio Company
892285MMDL914T1Schnellschaltung DiodeON Semiconductor
892286MMDL914T1-DSchnellschaltung DiodeON Semiconductor
892287MMDT1036Minigröße der getrennten HalbleiterelementeSINYORK
892288MMDT1037Minigröße der getrennten HalbleiterelementeSINYORK
892289MMDT2222Minigröße der getrennten HalbleiterelementeSINYORK
892290MMDT2222AZweipolige TransistorenDiodes
892291MMDT2222ADOPPELNPN KLEINER SIGNAL-OBERFLÄCHE EINFASSUNG TRANSISTORTRSYS
892292MMDT2222A75 V, Dual NPN Kleinsignaloberflächenmontage-TransistorTRANSYS Electronics Limited
892293MMDT2222A-7DOPPELNPN KLEINER SIGNAL-OBERFLÄCHE EINFASSUNG TRANSISTORDiodes
892294MMDT2222A-7-FBipolare TransistorenDiodes
892295MMDT2222VDOPPELNPN KLEINER SIGNAL-OBERFLÄCHE EINFASSUNG TRANSISTORDiodes
892296MMDT2222V-7DOPPELNPN KLEINER SIGNAL-OBERFLÄCHE EINFASSUNG TRANSISTORDiodes
892297MMDT2227Zweipolige TransistorenDiodes
892298MMDT2227ERGÄNZENDER NPN/PNP KLEINER SIGNAL-OBERFLÄCHE EINFASSUNG TRANSISTORTRSYS
892299MMDT222775 V, komplementären NPN / PNP Signal Oberflächenmontage-TransistorTRANSYS Electronics Limited



892300MMDT2227-7-FBipolare TransistorenDiodes
892301MMDT2227MDiscrete - Bipolare Transistoren - Transistor (BJT) Master-Tabelle - Transistoren 55V bis 100VDiodes
892302MMDT2227M-7Discrete - Bipolare Transistoren - Transistor (BJT) Master-Tabelle - Transistoren 55V bis 100VDiodes
892303MMDT2411Minigröße der getrennten HalbleiterelementeSINYORK
892304MMDT2412Minigröße der getrennten HalbleiterelementeSINYORK
892305MMDT2907Minigröße der getrennten HalbleiterelementeSINYORK
892306MMDT2907AZweipolige TransistorenDiodes
892307MMDT2907A60 V, PNP Kleinsignal-Oberflächenmontage-TransistorTRSYS
892308MMDT2907A-7DOPPELPNP KLEINER SIGNAL-OBERFLÄCHE EINFASSUNG TRANSISTORDiodes
892309MMDT2907A-7-FBipolare TransistorenDiodes
892310MMDT2907VDiscrete - Bipolare Transistoren - Transistor (BJT) Master-Tabelle - Transistoren 55V bis 100VDiodes
892311MMDT2907V-7Discrete - Bipolare Transistoren - Transistor (BJT) Master-Tabelle - Transistoren 55V bis 100VDiodes
892312MMDT3904Zweipolige TransistorenDiodes
892313MMDT3904DOPPELNPN KLEINER SIGNAL-OBERFLÄCHE EINFASSUNG TRANSISTORTRSYS
892314MMDT390460 V, Dual NPN Kleinsignaloberflächenmontage-TransistorTRANSYS Electronics Limited
892315MMDT3904-7DOPPELNPN KLEINER SIGNAL-OBERFLÄCHE EINFASSUNG TRANSISTORDiodes
892316MMDT3904-7-FBipolare TransistorenDiodes
892317MMDT3904SNPN KLEINER SIGNAL-OBERFLÄCHE EINFASSUNG TRANSISTORDiodes
892318MMDT3904VZweipolige TransistorenDiodes
892319MMDT3904VCDiscrete - Bipolare Transistoren - Transistor (BJT) Master-Tabelle - Transistoren 30V bis 50VDiodes
892320MMDT3904VC-7DUAL NPN SMALL SIGNAL Oberflächenmontage TRANSISTORDiodes
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