| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 912081 | MTD2005F | Energie ICs/Betrieb Der Stepperbewegungstreiber-(MTD Reihe): Zweipolig | Shindengen |
| 912082 | MTD2006 | Energie ICs/Betrieb Der Stepperbewegungstreiber-(MTD Reihe): Zweipolig | Shindengen |
| 912083 | MTD2006F | Energie ICs/Betrieb Der Stepperbewegungstreiber-(MTD Reihe): Zweipolig | Shindengen |
| 912084 | MTD20N03HDL | TMOS ENERGIE Fet LOGIK-NIVEAU 20 AMPERE 30 VOLT RDS(on) = 0.035 OHM | Motorola |
| 912085 | MTD20N03HDL | Power MOSFET 20 Ampere, 30 Volt, Logic-Level-N-Channel DPAK | ON Semiconductor |
| 912086 | MTD20N03HDL-D | Energie Mosfet 20 Ampere, 30 Volt, Logik Waagerecht ausgerichtete N-Führung DPAK | ON Semiconductor |
| 912087 | MTD20N03HL | HDTMOS E-FET hoher Dichte-Energie FET DPAK für Oberflächeneinfassung | Motorola |
| 912088 | MTD20N06 | TMOS ENERGIE Fet 20 AMPERE 60 VOLT RDS(on) = 0.080 OHM | Motorola |
| 912089 | MTD20N06HD | TMOS ENERGIE Fet 20 AMPERE 60 VOLT RDS(on) = 0.045 OHM | Motorola |
| 912090 | MTD20N06HD | Power MOSFET 20 Ampere, 60 Volt | ON Semiconductor |
| 912091 | MTD20N06HD-D | Energie Mosfet 20 Ampere, 60 Volt N-Führung DPAK | ON Semiconductor |
| 912092 | MTD20N06HDL | TMOS ENERGIE Fet LOGIK-NIVEAU 20 AMPERE 60 VOLT RDS(on) = 0.045 OHM | Motorola |
| 912093 | MTD20N06HDL | Power MOSFET 20 Ampere, 60 Volt, Logic-Level- | ON Semiconductor |
| 912094 | MTD20N06HDL-D | Energie Mosfet 20 Ampere, 60 Volt, Logik Waagerecht ausgerichtete N-Führung DPAK | ON Semiconductor |
| 912095 | MTD20N06V | TMOS ENERGIE Fet 20 AMPERE 60 VOLT RDS(on) = 0.080 OHM | Motorola |
| 912096 | MTD20N06V | 20 A DPAK N-Kanal-MOSFET, VDSS 60 | ON Semiconductor |
| 912097 | MTD20N06V-D | TMOS V Energie Fangen Effekt-Transistor DPAK für Oberflächeneinfassung N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter auf | ON Semiconductor |
| 912098 | MTD20P03 | TMOS ENERGIE Fet LOGIK-NIVEAU 19 AMPERE 30 VOLT RDS(on) = 0.099 OHM | Motorola |
| 912099 | MTD20P03HDL | TMOS ENERGIE Fet LOGIK-NIVEAU 19 AMPERE 30 VOLT RDS(on) = 0.099 OHM | Motorola |
| 912100 | MTD20P03HDL | Energie Mosfet 20 Ampere, 30 Volt, Logik Waagerecht ausgerichtete P-Führung DPAK | ON Semiconductor |
| 912101 | MTD20P03HDL-D | Energie Mosfet 20 Ampere, 30 Volt, Logik Waagerecht ausgerichtete P-Führung DPAK | ON Semiconductor |
| 912102 | MTD20P03HDL1 | Energie Mosfet 20 Ampere, 30 Volt, Logik Waagerecht ausgerichtete P-Führung DPAK | ON Semiconductor |
| 912103 | MTD20P03HDL1G | Energie Mosfet 20 Ampere, 30 Volt, Logik Waagerecht ausgerichtete P-Führung DPAK | ON Semiconductor |
| 912104 | MTD20P03HDLG | Energie Mosfet 20 Ampere, 30 Volt, Logik Waagerecht ausgerichtete P-Führung DPAK | ON Semiconductor |
| 912105 | MTD20P03HDLT4 | Energie Mosfet 20 Ampere, 30 Volt, Logik Waagerecht ausgerichtete P-Führung DPAK | ON Semiconductor |
| 912106 | MTD20P03HDLT4G | Energie Mosfet 20 Ampere, 30 Volt, Logik Waagerecht ausgerichtete P-Führung DPAK | ON Semiconductor |
| 912107 | MTD20P06 | TMOS ENERGIE Fet LOGIK-NIVEAU 15 AMPERE 60 VOLT RDS(on) = 175 MOHM | Motorola |
| 912108 | MTD20P06HDL | TMOS ENERGIE Fet LOGIK-NIVEAU 15 AMPERE 60 VOLT RDS(on) = 175 MOHM | Motorola |
| 912109 | MTD20P06HDL | Energie Mosfet 20 Ampere, 60 Volt, Logik-Niveau | ON Semiconductor |
| 912110 | MTD20P06HDL-D | Energie Mosfet 20 Ampere, 60 Volt, Logik Waagerecht ausgerichtete P-Führung DPAK | ON Semiconductor |
| 912111 | MTD20P06HDLG | Energie Mosfet 20 Ampere, 60 Volt, Logik-Niveau | ON Semiconductor |
| 912112 | MTD20P06HDLT4 | Energie Mosfet 20 Ampere, 60 Volt, Logik-Niveau | ON Semiconductor |
| 912113 | MTD20P06HDLT4G | Energie Mosfet 20 Ampere, 60 Volt, Logik-Niveau | ON Semiconductor |
| 912114 | MTD214 | Ethernet-Encoder / Decoder und 10 baseT Transceiver | MYSON TECHNOLOGY |
| 912115 | MTD2955E | TMOS ENERGIE Fet 12 AMPERE 60 VOLT RDS(on) = 0.3 OHM | Motorola |
| 912116 | MTD2955E | TMOS E-FET Energie Fangen Effekt-Transistor DPAK für Oberflächeneinfassung auf | ON Semiconductor |
| 912117 | MTD2955E-1 | TMOS Leistungs-FET. 60 V, 12 A, Rds (on) 0,3 Ohm. | Motorola |
| 912118 | MTD2955E-D | TMOS E-FET Energie Fangen Effekt-Transistor DPAK für Oberflächeneinfassung P-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter auf | ON Semiconductor |
| 912119 | MTD2955ET4 | TMOS E-FET Energie Fangen Effekt-Transistor DPAK für Oberflächeneinfassung auf | ON Semiconductor |
| 912120 | MTD2955V | TMOS ENERGIE Fet 12 AMPERE 60 VOLT RDS(on) = 0.230 OHM | Motorola |
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