26111 | M29W040B120N6T | 4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26112 | M29W040B120NZ1T | 4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26113 | M29W040B120NZ6T | 4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26114 | M29W040B55K1 | 4 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
26115 | M29W040B55K1T | 4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26116 | M29W040B55K6T | 4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26117 | M29W040B55N1 | 4 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
26118 | M29W040B55N1T | 4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26119 | M29W040B55N6T | 4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26120 | M29W040B55NZ1T | 4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26121 | M29W040B55NZ6T | 4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26122 | M29W040B70K1T | 4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26123 | M29W040B70K6T | 4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26124 | M29W040B70N1 | 4 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
26125 | M29W040B70N1T | 4 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
26126 | M29W040B70N6T | 4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26127 | M29W040B70NZ1T | 4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26128 | M29W040B70NZ6T | 4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26129 | M29W040B90K1 | 4 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
26130 | M29W040B90K1T | 4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26131 | M29W040B90K6 | 4 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
26132 | M29W040B90K6T | 4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26133 | M29W040B90N1 | 4 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
26134 | M29W040B90N1T | 4 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
26135 | M29W040B90N6 | 4 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
26136 | M29W040B90N6T | 4 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
26137 | M29W040B90NZ1T | 4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26138 | M29W040B90NZ6T | 4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26139 | M29W102 | 1 Mbit 64Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26140 | M29W102BB | 1 MBIT (64KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
26141 | M29W102BB50N1 | 1 MBIT (64KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
26142 | M29W102BB50N1T | 1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26143 | M29W102BB50N6T | 1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26144 | M29W102BB70N1 | 1 MBIT (64KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
26145 | M29W102BB70N1T | 1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26146 | M29W102BB70N6T | 1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26147 | M29W102BB90N1T | 1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26148 | M29W102BB90N6T | 1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26149 | M29W102BT | 1 MBIT (64KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
26150 | M29W102BT50N1T | 1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26151 | M29W102BT50N6T | 1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26152 | M29W102BT70N1T | 1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26153 | M29W102BT70N6T | 1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26154 | M29W102BT90N1T | 1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26155 | M29W102BT90N6T | 1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26156 | M29W160 | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26157 | M29W160BB | NICHT FÜR NEUES DESIGN - 16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
26158 | M29W160BB120M1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26159 | M29W160BB120M6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26160 | M29W160BB120N1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26161 | M29W160BB120N6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26162 | M29W160BB120ZA1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26163 | M29W160BB120ZA6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26164 | M29W160BB70M1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26165 | M29W160BB70M6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26166 | M29W160BB70N1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26167 | M29W160BB70N6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26168 | M29W160BB70ZA1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26169 | M29W160BB70ZA6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26170 | M29W160BB90M1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26171 | M29W160BB90M6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26172 | M29W160BB90N1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26173 | M29W160BB90N6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26174 | M29W160BB90ZA1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26175 | M29W160BB90ZA6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26176 | M29W160BT | NICHT FÜR NEUES DESIGN - 16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
26177 | M29W160BT120M1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26178 | M29W160BT120M6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26179 | M29W160BT120N1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26180 | M29W160BT120N6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26181 | M29W160BT120ZA1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26182 | M29W160BT120ZA6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26183 | M29W160BT70M1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26184 | M29W160BT70M6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26185 | M29W160BT70N1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26186 | M29W160BT70N6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26187 | M29W160BT70ZA1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26188 | M29W160BT70ZA6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26189 | M29W160BT90M1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26190 | M29W160BT90M6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26191 | M29W160BT90N1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26192 | M29W160BT90N6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26193 | M29W160BT90ZA1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26194 | M29W160BT90ZA6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
26195 | M29W160DB | BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3V | ST Microelectronics |
26196 | M29W160DB70M1T | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3V | ST Microelectronics |
26197 | M29W160DB70M1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3V | ST Microelectronics |
26198 | M29W160DB70M6T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3V | ST Microelectronics |
26199 | M29W160DB70M6T | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3V | ST Microelectronics |
26200 | M29W160DB70N1T | 16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3V | ST Microelectronics |
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