| 26811 | M29W400DT70M6T | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3V | ST Microelectronics |
| 26812 | M29W400DT70N1 | BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-4 MBIT (512KB X8 ODER 256KB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3V | ST Microelectronics |
| 26813 | M29W400DT70N1E | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3V | ST Microelectronics |
| 26814 | M29W400DT70N1F | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3V | ST Microelectronics |
| 26815 | M29W400DT70N1T | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3V | ST Microelectronics |
| 26816 | M29W400DT70N6 | BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-4 MBIT (512KB X8 ODER 256KB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3V | ST Microelectronics |
| 26817 | M29W400DT70N6E | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3V | ST Microelectronics |
| 26818 | M29W400DT70N6F | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3V | ST Microelectronics |
| 26819 | M29W400DT70N6T | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3V | ST Microelectronics |
| 26820 | M29W400DT70ZA1E | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3V | ST Microelectronics |
| 26821 | M29W400DT70ZA1F | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3V | ST Microelectronics |
| 26822 | M29W400DT70ZA1T | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3V | ST Microelectronics |
| 26823 | M29W400DT70ZA6E | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3V | ST Microelectronics |
| 26824 | M29W400DT70ZA6F | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3V | ST Microelectronics |
| 26825 | M29W400DT70ZA6T | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3V | ST Microelectronics |
| 26826 | M29W400T | NICHT FÜR NEUES DESIGN - 4 MBIT (512KB X8 ODER 256KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
| 26827 | M29W400T-100M1R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26828 | M29W400T-100M1TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26829 | M29W400T-100M5R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26830 | M29W400T-100M5TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26831 | M29W400T-100M6R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26832 | M29W400T-100M6TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26833 | M29W400T-100N1R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26834 | M29W400T-100N1TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26835 | M29W400T-100N5R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26836 | M29W400T-100N5TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26837 | M29W400T-100N6R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26838 | M29W400T-100N6TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26839 | M29W400T-100ZA1R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26840 | M29W400T-100ZA1TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26841 | M29W400T-100ZA5R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26842 | M29W400T-100ZA5TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26843 | M29W400T-100ZA6R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26844 | M29W400T-100ZA6TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26845 | M29W400T-120M1R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26846 | M29W400T-120M1TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26847 | M29W400T-120M5R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26848 | M29W400T-120M5TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26849 | M29W400T-120M6R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26850 | M29W400T-120M6TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26851 | M29W400T-120N1R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26852 | M29W400T-120N1TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26853 | M29W400T-120N5R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26854 | M29W400T-120N5TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26855 | M29W400T-120N6R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26856 | M29W400T-120N6TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26857 | M29W400T-120ZA1R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26858 | M29W400T-120ZA1TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26859 | M29W400T-120ZA5R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26860 | M29W400T-120ZA5TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26861 | M29W400T-120ZA6R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26862 | M29W400T-120ZA6TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26863 | M29W400T-150M1R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26864 | M29W400T-150M1TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26865 | M29W400T-150M5R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26866 | M29W400T-150M5TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26867 | M29W400T-150M6R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26868 | M29W400T-150M6TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26869 | M29W400T-150N1R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26870 | M29W400T-150N1TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26871 | M29W400T-150N5R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26872 | M29W400T-150N5TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26873 | M29W400T-150N6R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26874 | M29W400T-150N6TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26875 | M29W400T-150ZA1R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26876 | M29W400T-150ZA1TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26877 | M29W400T-150ZA5R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26878 | M29W400T-150ZA5TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26879 | M29W400T-150ZA6R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26880 | M29W400T-150ZA6TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26881 | M29W400T-90M1R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26882 | M29W400T-90M1TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26883 | M29W400T-90M5R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26884 | M29W400T-90M5TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26885 | M29W400T-90M6R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26886 | M29W400T-90M6TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26887 | M29W400T-90N1R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26888 | M29W400T-90N1TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26889 | M29W400T-90N5R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26890 | M29W400T-90N5TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26891 | M29W400T-90N6R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26892 | M29W400T-90N6TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26893 | M29W400T-90ZA1R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26894 | M29W400T-90ZA1TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26895 | M29W400T-90ZA5R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26896 | M29W400T-90ZA5TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26897 | M29W400T-90ZA6R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26898 | M29W400T-90ZA6TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 26899 | M29W512B | 512 KBIT (64KB X8, HAUPTTEIL) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
| 26900 | M29W512B120K1T | 512 Kbit 64Kb x8, MassencNiederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
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