| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1029801 | Q62702-D99 | TRANSISTORES DEL SILICIO DARLINGTON DE PNP | Siemens |
| 1029802 | Q62702-F102 | Transistor del RF del silicio de NPN (especialmente conveniente para los sintonizadores TV-sentados y DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA) | Siemens |
| 1029803 | Q62702-F1020 | Tetrodo del MOSFET del canal del silicio N (para los usos del VHF para, especialmente la entrada y etapas del mezclador con una gama que templa ancha, e.g. en sintonizadores de CATV) | Siemens |
| 1029804 | Q62702-F1021 | Tetrodo del MOSFET del canal del silicio N (para las etapas de la entrada en figura baja del ruido de la TV transconductancia DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de los sintonizadores de la alta) | Siemens |
| 1029805 | Q62702-F1024 | Transistor de alto voltaje del silicio de NPN (conveniente para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1029806 | Q62702-F1042 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los usos small-signal generales del RF hasta 300 megaciclos en circuitos del amplificador, del mezclador y del oscilador) | Siemens |
| 1029807 | Q62702-F1049 | De NPN del silicio del RF hasta el transistor (para los amplificadores de poco ruido de 2GHz y usos análogos y digitales de banda ancha) | Siemens |
| 1029808 | Q62702-F1050 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de banda ancha y los osciladores de la distorsión baja hasta 2GHz en las corrientes de colector de 0.5mA a 20mA) | Siemens |
| 1029809 | Q62702-F1051 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de banda ancha de la bajo-distorsio'n hasta 1 gigahertz en las corrientes de colector a partir de 2 mA a 30 mA.) | Siemens |
| 1029810 | Q62702-F1052 | Transistor de alto voltaje del silicio de NPN (conveniente para las etapas video de la salida en voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto) | Siemens |
| 1029811 | Q62702-F1053 | Transistor de alto voltaje del silicio de PNP (conveniente para las etapas video de la salida en voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto) | Siemens |
| 1029812 | Q62702-F1055 | Tetrodo del MOSFET del canal del silicio N (red integrada de la supresión contra oscilaciones falsas del VHF) | Siemens |
| 1029813 | Q62702-F1056 | Transistores de alto voltaje del silicio de NPN (convenientes para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1029814 | Q62702-F1057 | Transistores de alto voltaje del silicio de PNP (convenientes para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1029815 | Q62702-F1058 | Transistor de alto voltaje del silicio de NPN (conveniente para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1029816 | Q62702-F1059 | Transistor de alto voltaje del silicio de PNP (conveniente para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1029817 | Q62702-F1062 | Transistor del RF del silicio de PNP (para los amplificadores de banda ancha hasta 2GHz en las corrientes de colector hasta 20mA) | Siemens |
| 1029818 | Q62702-F1063 | Transistor del RF del silicio de PNP (para los amplificadores de banda ancha de la distorsión baja hasta 1 gigahertz en las corrientes de colector de 2mA hasta 20mA) | Siemens |
| 1029819 | Q62702-F1064 | Transistor de alto voltaje del silicio de PNP (conveniente para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1029820 | Q62702-F1065 | Transistores de alto voltaje del silicio de NPN (convenientes para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1029821 | Q62702-F1066 | Transistores de alto voltaje del silicio de PNP (convenientes para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1029822 | Q62702-F1086 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha high-gain en la corriente de colector de 2mA a 30mA) | Siemens |
| 1029823 | Q62702-F1088 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha de la distorsión baja en antena y) | Siemens |
| 1029824 | Q62702-F109 | Transistores Planar Del Silicio de NPN | Siemens |
| 1029825 | Q62702-F1104 | TRANSISTOR del Rf del SILICIO de NPN (PARA LOS AMPLIFICADORES DE BANDA ANCHA De poco ruido, De la Bajo-distorsio'n EN ANTENA Y LOS SISTEMAS de las TELECOMUNICACIONES HASTA 2GHz) | Siemens |
| 1029826 | Q62702-F1124 | Transistor del RF del silicio de NPN (para SI amplificadores en sintonizadores TV-sentados y para los moduladores del VCR) | Siemens |
| 1029827 | Q62702-F1129 | Tetrodo del MOSFET del canal del silicio N (el transistor del Corto-canal con el alto factor de calidad de S/C para la entrada de poco ruido, ganar-controlada efectúa hasta 1 gigahertz) | Siemens |
| 1029828 | Q62702-F1132 | Triodo del MOSFET del canal del silicio N (para las etapas de alta frecuencia hasta 300 megaciclos, preferiblemente en usos de FM) | Siemens |
| 1029829 | Q62702-F1144 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de banda ancha y los osciladores de la distorsión baja hasta 2GHz en las corrientes de colector a partir de 5 mA a 30 mA) | Siemens |
| 1029830 | Q62702-F1177 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (transistor del Corto-canal con alto factor de calidad de S/C) | Siemens |
| 1029831 | Q62702-F1189 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de poco ruido, high-gain hasta 2 gigahertz. Usos de banda ancha lineares en las corrientes de colector hasta 40 mA.) | Siemens |
| 1029832 | Q62702-F1215 | Fet del GaAs (FET dual-gate del GaAs MES del N-canal) | Siemens |
| 1029833 | Q62702-F1218 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores high-gain hasta 2GHz para los amplificadores de banda ancha lineares) | Siemens |
| 1029834 | Q62702-F1219 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores high-gain para los amplificadores de banda ancha lineares) | Siemens |
| 1029835 | Q62702-F1222 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el uso en sintonizadores TV-sentados) | Siemens |
| 1029836 | Q62702-F1225 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los moduladores y los amplificadores en sintonizadores de la TV y del VCR) | Siemens |
| 1029837 | Q62702-F1238 | Transistores de alto voltaje del silicio de NPN (convenientes para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1029838 | Q62702-F1239 | Transistores de alto voltaje del silicio de PNP (convenientes para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
| 1029839 | Q62702-F1240 | Transistores del RF del silicio de NPN (convenientes para el emisor común RF, SI capacitancia baja del collector-base de los amplificadores debido a la difusión del protector del contacto) | Siemens |
| 1029840 | Q62702-F1246 | Transistores de alto voltaje del silicio de NPN (convenientes para las etapas video de la salida en voltaje de interrupción de los aparatos de TV Alto y de las fuentes de alimentación de la conmutación) | Siemens |
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