| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 249801 | BC307-D | Silicio De los Transistores PNP Del Amplificador | ON Semiconductor |
| 249802 | BC307A | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249803 | BC307A | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249804 | BC307A | Propósito 1.000W general PNP Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
| 249805 | BC307ABU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249806 | BC307ATA | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249807 | BC307B | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 249808 | BC307B | Amplificador Transistors(PNP) | Motorola |
| 249809 | BC307B | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249810 | BC307B | Silicio PNP Del Transistor | ON Semiconductor |
| 249811 | BC307B | Propósito 0.350W general PNP Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.100A Ic, 200-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249812 | BC307BBU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249813 | BC307BRL1 | Silicio PNP Del Transistor | ON Semiconductor |
| 249814 | BC307BTA | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249815 | BC307BTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249816 | BC307BTFR | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249817 | BC307BU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249818 | BC307BZL1 | Silicio PNP Del Transistor | ON Semiconductor |
| 249819 | BC307C | Amplificador Transistors(PNP) | Motorola |
| 249820 | BC307C | Plástico PNP Del Silicio Del Transistor | ON Semiconductor |
| 249821 | BC307C | Propósito 1.000W general PNP Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249822 | BC307CBU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249823 | BC307CZL1 | Amplificador de transistor PNP | ON Semiconductor |
| 249824 | BC308 | Usos de la conmutación y del amplificador | Fairchild Semiconductor |
| 249825 | BC308 | Transistor De fines generales | Korea Electronics (KEC) |
| 249826 | BC308 | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 249827 | BC308 | TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
| 249828 | BC308 | Propósito 1.000W general PNP Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249829 | BC308 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Tensión colector-base VCBO = -30V. Tensión de colector-emisor VCEO = -25V. Tensión emisor-base Vebo = -5V. Disipación del colector Pc (max) = 500 mW. Corriente de colector Ic = -1 | USHA India LTD |
| 249830 | BC308A | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249831 | BC308A | Propósito 1.000W general PNP Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
| 249832 | BC308ABU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249833 | BC308ATA | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249834 | BC308ATF | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249835 | BC308ATFR | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249836 | BC308B | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249837 | BC308B | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249838 | BC308B | Propósito 1.000W general PNP Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 200-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249839 | BC308BBU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249840 | BC308BTA | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
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