| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 250081 | BC33740BU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250082 | BC33740TA | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250083 | BC337A | Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 0.800A Ic, 100-400 hFE | Continental Device India Limited |
| 250084 | BC337A | NPN de propósito general transistor | Philips |
| 250085 | BC337ABU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250086 | BC337BU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250087 | BC337RL1 | Plástico NPN Del Silicio Del Transistor | ON Semiconductor |
| 250088 | BC337TF | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250089 | BC337TFR | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250090 | BC337ZL1 | Plástico NPN Del Silicio Del Transistor | ON Semiconductor |
| 250091 | BC338 | Usos de la conmutación y del amplificador | Fairchild Semiconductor |
| 250092 | BC338 | Transistor De fines generales | Korea Electronics (KEC) |
| 250093 | BC338 | Transistores Pequeños De la Señal (NPN) | Vishay |
| 250094 | BC338 | Transistores Pequeños De la Señal (NPN) | General Semiconductor |
| 250095 | BC338 | Transistor del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
| 250096 | BC338 | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 250097 | BC338 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | Honey Technology |
| 250098 | BC338 | TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS DEL AF DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
| 250099 | BC338 | Transistores del AF del silicio de NPN (alto alto voltaje bajo de la saturación del collector-emitter de la corriente de colector del aumento actual) | Siemens |
| 250100 | BC338 | Transistor Del Amplificador | Motorola |
| 250101 | BC338 | PlanarTransistors Silicio-Si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 250102 | BC338 | Transistor planar epitaxial del silicio de NPN para los usos de la conmutación y del amplificador | Semtech |
| 250103 | BC338 | Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.800A Ic, 100-600 hFE | Continental Device India Limited |
| 250104 | BC338 | Transistor. Conmutación y aplicaciones ampplifier. Adecuado para stagees AF-conductor y etapas de potencia de salida. VCES = 30V, VCEO = 25V, Vebo = 5V, Pc = 625MW, Ic = 800mA. | USHA India LTD |
| 250105 | BC338-16 | Transistores del AF del silicio de NPN (alto alto voltaje bajo de la saturación del collector-emitter de la corriente de colector del aumento actual) | Siemens |
| 250106 | BC338-16 | Transistor Del Amplificador | Motorola |
| 250107 | BC338-16 | Transistores, & del Rf; Af | Vishay |
| 250108 | BC338-16 | PlanarTransistors Silicio-Si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 250109 | BC338-16 | Silicio De Transistors(NPN Del Amplificador) | ON Semiconductor |
| 250110 | BC338-16 | Pequeña señal del transistor (NPN) | General Semiconductor |
| 250111 | BC338-25 | Transistores del AF del silicio de NPN (alto alto voltaje bajo de la saturación del collector-emitter de la corriente de colector del aumento actual) | Siemens |
| 250112 | BC338-25 | Transistor Del Amplificador | Motorola |
| 250113 | BC338-25 | Plástico NPN Del Silicio Del Transistor | ON Semiconductor |
| 250114 | BC338-25 | Transistores, & del Rf; Af | Vishay |
| 250115 | BC338-25 | PlanarTransistors Silicio-Si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 250116 | BC338-25 | Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.800A Ic, 160-400 hFE | Continental Device India Limited |
| 250117 | BC338-25 | Pequeña señal del transistor (NPN) | General Semiconductor |
| 250118 | BC338-25ZL1 | Plástico NPN Del Silicio Del Transistor | ON Semiconductor |
| 250119 | BC338-40 | Transistores del AF del silicio de NPN (alto alto voltaje bajo de la saturación del collector-emitter de la corriente de colector del aumento actual) | Siemens |
| 250120 | BC338-40 | Transistor Del Amplificador | Motorola |
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